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EN29LV400AB-70BI 参数 Datasheet PDF下载

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型号: EN29LV400AB-70BI
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内容描述: 4兆位( 512K ×8位/ 256K ×16位)闪存引导扇区快闪记忆体, CMOS 3.0伏只 [4 Megabit (512K X 8-bit / 256K X 16-bit) Flash Memory Boot Sector Flash Memory, CMOS 3.0 Volt-only]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 41 页 / 378 K
品牌: EON [ EON SILICON SOLUTION INC. ]
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EN29LV400A
USER MODE定义
字/字节配置
在BYTE #设置信号引脚控制设备是否数据I / O引脚DQ15 - DQ0工作在
字节或字的配置。当字节#引脚设置为逻辑'1' ,那么该设备是字
配置, DQ15 - DQ0是活动的,由CE#和OE #进行控制。
另一方面,如果该字节#管脚被设置为逻辑“0” ,则该设备是在字节构成,并
唯一的数据I / O引脚DQ0 - DQ7是活动的,由CE#和OE #控制。数据I / O引脚DQ8-
DQ14有三态,而DQ15引脚用作输入的LSB ( A- 1 )地址的功能。
待机模式
该EN29LV400A具有CMOS兼容的待机模式,从而降低了电流
& LT ;
1µA
(典型值) 。这是摆在CMOS兼容的待机时的CE#引脚为V
CC
±
0.5 。 RESET #和
BYTE #引脚也必须在CMOS输入电平。该设备还具有一个TTL兼容的待机状态下,
这减小了最大V
CC
到< 1毫安电流。这是摆在TTL兼容的待机时
CE #引脚为V
IH
。当在待机模式下,输出是在独立的一高阻抗状态
的OE #输入。
读取模式
该装置会自动设置为设备后,开机读取阵列数据。没有命令
检索数据所需的。该器件还准备在完成嵌入式后读取阵列数据
程序或嵌入式擦除算法。
之后,该设备接受一个擦除挂起命令时,器件进入擦除挂起模式。
该系统可以使用标准的读出定时,读出数组数据不同之处在于,即使读取时的地址
擦除悬浮部门内,设备输出状态数据。完成编程后
操作中的擦除挂起模式中,系统可以再次读取相同的数据数组
异常。请参阅“擦除暂停/删除恢复命令”了解更多信息。
该系统必须发出复位命令来重新启用该设备用于读取数组数据,如果DQ5
变为高电平时,或当在自动选择模式。请参阅“复位指令”的更多细节。
输出禁止模式
当OE #引脚为逻辑高电平( VIH ) ,从EN29LV400A输出被禁用。该
输出引脚被置于高阻抗状态。
自动选择识别模式
自选模式提供了制造商和设备标识和部门保护
验证通过DQ15 - DQ0识别码输出。这种模式的主要目的是
编程设备来自动匹配的装置,以与其对应的编程
规划算法。然而,在自动选择的代码,也可以在系统通过访问
命令寄存器。
当使用编程设备中,自动选择模式,需要V
ID
( 10.5V 〜11.5 V)上
地址引脚A9 。地址引脚A8 ,A6, A1和A0必须在自动选择代码表中,如图所示。在
此外,验证扇区保护时,该部门的地址必须出现在合适的
最高地址位。参考相应的扇区地址表。命令
定义表显示剩余地址位是鸵鸟政策护理。当一切必要的位具有
被设置为所需的,则编程设备可接着读取对应的识别码
在DQ15 - DQ0 。
该数据表可以通过后续的版本中修改
或修改,由于改变的技术规格。
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©2005宙硅解决方案公司, www.essi.com.tw
A版,发行日期: 2005年1月7日