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    EN29LV400AB-70BI 参数 Datasheet PDF下载

    EN29LV400AB-70BI图片预览
    型号： EN29LV400AB-70BI
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 4兆位（ 512K ×8位/ 256K ×16位）闪存引导扇区快闪记忆体， CMOS 3.0伏只 [4 Megabit (512K X 8-bit / 256K X 16-bit) Flash Memory Boot Sector Flash Memory, CMOS 3.0 Volt-only]
    分类和应用： 闪存
    文件页数/大小： 41 页 / 378 K
    品牌： EON [ EON SILICON SOLUTION INC. ]
     浏览型号EN29LV400AB-70BI的Datasheet PDF文件第3页浏览型号EN29LV400AB-70BI的Datasheet PDF文件第4页浏览型号EN29LV400AB-70BI的Datasheet PDF文件第5页浏览型号EN29LV400AB-70BI的Datasheet PDF文件第6页浏览型号EN29LV400AB-70BI的Datasheet PDF文件第8页浏览型号EN29LV400AB-70BI的Datasheet PDF文件第9页浏览型号EN29LV400AB-70BI的Datasheet PDF文件第10页浏览型号EN29LV400AB-70BI的Datasheet PDF文件第11页  
    EN29LV400A
    表3.操作模式
    4M FLASH USER MODE表
    DQ8-DQ15
    BYTE ＃
    BYTE ＃
    = V
    IH
    = V
    IL
    D
    OUT
    高-Z
    D
    IN
    高-Z
    高-Z高阻
    高-Z高阻
    高-Z高阻
    高-Z高阻
    手术
    读
    写
    CMOS待机
    TTL待机
    输出禁用
    硬件复位
    临时
    扇形
    撤消
    CE＃
    L
    L
    V
    cc
    ±
    0.3V
    H
    L
    X
    OE ＃
    L
    H
    X
    X
    H
    X
    WE＃
    H
    L
    X
    X
    H
    X
    RESET＃
    H
    H
    V
    cc
    ±
    0.3V
    H
    H
    L
    A0-A17
    A
    IN
    A
    IN
    X
    X
    X
    X
    DQ0-DQ7
    D
    OUT
    D
    IN
    高-Z
    高-Z
    高-Z
    高-Z
    X
    X
    X
    V
    ID
    A
    IN
    D
    IN
    D
    IN
    X
    注意事项：
    L =逻辑低= V
    IL
    ，H =逻辑高电平= V
    IH
    , V
    ID
    =11
    ±
    0.5V ， X =无所谓（ L或H，但不浮！ ）
    D
    IN
    =数据，D
    OUT
    =数据输出，A
    IN
    =地址
    表4.辨识的装置（自选代码）
    4M闪存制造商/设备ID表
    描述
    模式
    CE
    OE
    WE
    A17
    to
    A12
    X
    X
    X
    A11
    to
    A10
    X
    X
    X
    A9
    2
    A8
    A7
    A6
    A5
    to
    A2
    X
    X
    X
    A1
    A0
    DQ8
    to
    DQ15
    X
    22h
    X
    22h
    X
    X
    L
    L
    H
    SA
    X
    V
    ID
    X
    X
    L
    X
    H
    L
    X
    DQ7到
    DQ0
    1Ch
    B9h
    B9h
    BAH
    BAH
    01h
    （被保护）
    制造商ID ：
    宙
    器件ID
    字
    （上启动
    块）
    L
    L
    L
    L
    L
    L
    L
    L
    L
    L
    H
    H
    H
    H
    H
    V
    ID
    V
    ID
    V
    ID
    H
    1
    X
    X
    X
    X
    X
    L
    L
    L
    L
    L
    L
    L
    H
    H
    字节
    字
    字节
    器件ID
    （底部引导
    块）
    扇区保护
    验证
    00h
    （无保护）
    注意：
    1.如果一个制造ID被读取A8 = L时，芯片将输出配置代码7Fh的。进一步制造业ID必须是
    阅读A8 = H 。
    2. A9 = VID仅用于HV A9自选模式。 A9必须
    ≤
    工作电压（ CMOS逻辑电平）的命令自动选择模式。
    该数据表可以通过后续的版本中修改
    或修改，由于改变的技术规格。
    7
    ©2005宙硅解决方案公司， www.essi.com.tw
    A版，发行日期： 2005年1月7日

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