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M14D5121632A 参数 Datasheet PDF下载

M14D5121632A图片预览
型号: M14D5121632A
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内容描述: 8M ×16位×4银行DDR II SDRAM [8M x 16 Bit x 4 Banks DDR II SDRAM]
分类和应用: 动态存储器双倍数据速率
文件页数/大小: 59 页 / 975 K
品牌: ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
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ESMT
AC Overshoot / Undershoot Specification
Parameter
Pin
Address, CKE, CS , RAS , CAS ,
WE
,
ODT, CLK, CLK , DQ, DQS,
M14D5121632A
Value
-2.5
0.5
-3
Unit
Maximum peak amplitude allowed for overshoot
,
DM
,
DM
0.66
V
Maximum peak amplitude allowed for undershoot
Address, CKE, CS , RAS , CAS ,
WE
,
ODT, CLK, CLK , DQ, DQS,
0.5
V
Maximum overshoot area above V
DD
Address, CKE, CS , RAS , CAS ,
WE
,
ODT,
CLK, CLK , DQ, DQS,
0.8
0.23
V-ns
V-ns
,
DM
0.66
Maximum undershoot area below V
SS
Address, CKE, CS , RAS , CAS ,
WE
,
ODT,
CLK, CLK , DQ, DQS,
0.8
0.23
V-ns
V-ns
,
DM
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
Publication Date : Feb. 2009
Revision : 1.1
9/59