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M14D5121632A-3BIG 参数 Datasheet PDF下载

M14D5121632A-3BIG图片预览
型号: M14D5121632A-3BIG
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内容描述: 8M ×16位×4银行DDR II SDRAM [8M x 16 Bit x 4 Banks DDR II SDRAM]
分类和应用: 存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率
文件页数/大小: 59 页 / 982 K
品牌: ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
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ESMT
参数
至预充电命令
主动对主动命令
(同一银行)
自动刷新行周期时间
主动读,写延时
预充电命令期
活跃​​银行A到有效的银行B
命令
写恢复时间
在数据写入读取命令
延迟
上校地址上校地址
延迟
主动到自动预充电延迟
平均周期刷新
区间( -40
℃ ≦T
C
≦ +85
)
平均周期刷新
间隔时间( + 85 ℃
<T
C
≦ +95℃)
写序言
写后同步
DQS读序言
DQS阅读后同步
加载模式寄存器/扩展
模式寄存器周期时间
自动预充电写恢复
+预充电时间
内部读取到预充电
命令延迟
退出自刷新阅读
命令
退出自刷新非读
命令
退出预充电掉电
任何非读命令
主动退出掉电
读命令
主动退出掉电阅读
命令
(慢退出/低功率模式)
CKE最小脉冲宽度
(高和低脉冲宽度)
t
CKE
3
-
t
CK
符号
t
RAS
t
RC
t
RFC
t
RCD
t
RP
t
RRD
t
WR
t
WTR
t
CCD
t
RAP
t
REFI
-3
分钟。
45
60
105
15
15
7.5
15
7.5
2
t
RCD
(分)
-
马克斯。
70K
-
-
-
-
-
-
-
-
-
7.8
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
CK
ns
us
M14D5121632A
工作温度条件(T
C
) -40
°
C~95
°
C
t
REFI
t
WPRE
t
WPST
t
RPRE
t
RPST
t
MRD
t
DAL
t
RTP
t
XSRD
t
XSNR
t
XP
t
XARD
-
0.35
0.4
0.9
0.4
2
WR + RU (T
WR
/ t
CK
)
+(t
RP
/ t
CK
( AVG)
)
7.5
200
t
RFC
+ 10
2
2
3.9
-
0.6
1.1
0.6
-
-
-
-
-
-
-
us
t
CK
( AVG)
t
CK
( AVG)
t
CK
( AVG)
t
CK
( AVG)
t
CK
t
CK
ns
t
CK
ns
t
CK
t
CK
3
1
11
12
t
XARDS
7 - AL
-
t
CK
2,3
晶豪科科技有限公司
出版日期: 2009年2月
修订: 1.1
12/59