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    M14D5121632A-3BIG 参数 Datasheet PDF下载

    M14D5121632A-3BIG图片预览
    型号： M14D5121632A-3BIG
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 8M ×16位×4银行DDR II SDRAM [8M x 16 Bit x 4 Banks DDR II SDRAM]
    分类和应用： 存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率
    文件页数/大小： 59 页 / 982 K
    品牌： ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
     浏览型号M14D5121632A-3BIG的Datasheet PDF文件第5页浏览型号M14D5121632A-3BIG的Datasheet PDF文件第6页浏览型号M14D5121632A-3BIG的Datasheet PDF文件第7页浏览型号M14D5121632A-3BIG的Datasheet PDF文件第8页浏览型号M14D5121632A-3BIG的Datasheet PDF文件第10页浏览型号M14D5121632A-3BIG的Datasheet PDF文件第11页浏览型号M14D5121632A-3BIG的Datasheet PDF文件第12页浏览型号M14D5121632A-3BIG的Datasheet PDF文件第13页  
    ESMT
    AC过冲/下冲规格
    M14D5121632A
    工作温度条件（T
    C
    ) -40
    °
    C~95
    °
    C
    价值
    参数
    针
    -3
    允许的最大过冲峰值
    地址， CKE ， CS ， RAS ， CAS ，
    WE
    ,
    ODT ， CLK ， CLK ， DQ ， DQS ，
    0.5
    V
    单位
    ,
    DM
    ,
    DM
    允许的最大冲峰值
    地址， CKE ， CS ， RAS ， CAS ，
    WE
    ,
    ODT ， CLK ， CLK ， DQ ， DQS ，
    0.5
    V
    最大过冲区上方V
    DD
    地址， CKE ， CS ， RAS ， CAS ，
    WE
    ,
    ODT ，
    CLK ， CLK ， DQ ， DQS ，
    0.8
    0.23
    0.8
    0.23
    V- NS
    V- NS
    V- NS
    V- NS
    ,
    DM
    下面V最大冲区
    SS
    地址， CKE ， CS ， RAS ， CAS ，
    WE
    ,
    ODT ，
    CLK ， CLK ， DQ ， DQS ，
    ,
    DM
    晶豪科科技有限公司
    出版日期： 2009年2月
    修订： 1.1
    9/59

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