M14D5121632A-3BIG 参数 Datasheet PDF下载

型号：	M14D5121632A-3BIG
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内容描述：	8M ×16位×4银行DDR II SDRAM [8M x 16 Bit x 4 Banks DDR II SDRAM]
分类和应用：	存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率
文件页数/大小：	59 页 / 982 K
品牌：	ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]

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ESMT

交流工作条件&时序规范

交流工作条件

参数

输入高电平（逻辑1 ）电压

输入低电平（逻辑0 ）电压

输入差分电压

输入交叉点电压

输出交叉点电压

符号

（AC）的

0.5

0.5× V

DDQ

- 0.175

0.5× V

DDQ

- 0.125

-3

分钟。

REF

+ 0.2

REF

- 0.2

DDQ

+0.6

0.5× V

DDQ

+ 0.175

0.5× V

DDQ

+ 0.125

马克斯。

单位

M14D5121632A

工作温度条件（T

) -40

C~95

记

注意：

1. V

（AC）的指定输入差动电压|

– V

|所需的开关，其中V

是真正的输入信号（例如

作为CLK ， DQS）和V

是互补的输入信号（如CLK，

）。的最小值等于V

交流（AC） -

交流（AC）。

2. V的典型值

/ V

（交流）预计为约0.5 x垂直

DDQ

发送设备和V的

/ V

（交流）是

预计将跟踪变化V

DDQ

. V

/ V

交流（AC）表示其差分输入/输出信号必须在电压

交叉。

输入/输出电容

参数

输入电容

（ A0 〜 A12 ， BA0 〜 BA1 ， CKE ， CS ， RAS ， CAS ，

， ODT ）

输入电容（ CLK ， CLK ）

的DQ ，

&数据的输入/输出电容

-3

符号

IN1

IN2

I / O

分钟。

1.0

2.5

马克斯。

2.0

3.5

单位注

输入电容（DM）的

注意：

1.电容增量为0.25 pF的。

2.电容增量为0.5 pF的。

-3

IN3

2.5

3.5

晶豪科科技有限公司

出版日期： 2009年2月

修订： 1.1

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