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    M24L816512DA-70BEG 参数 Datasheet PDF下载

    M24L816512DA-70BEG图片预览
    型号： M24L816512DA-70BEG
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 8兆位（ 512K ×16 ）伪静态RAM [8-Mbit (512K x 16) Pseudo Static RAM]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 12 页 / 310 K
    品牌： ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
     浏览型号M24L816512DA-70BEG的Datasheet PDF文件第1页浏览型号M24L816512DA-70BEG的Datasheet PDF文件第3页浏览型号M24L816512DA-70BEG的Datasheet PDF文件第4页浏览型号M24L816512DA-70BEG的Datasheet PDF文件第5页浏览型号M24L816512DA-70BEG的Datasheet PDF文件第6页浏览型号M24L816512DA-70BEG的Datasheet PDF文件第7页浏览型号M24L816512DA-70BEG的Datasheet PDF文件第8页浏览型号M24L816512DA-70BEG的Datasheet PDF文件第9页  
    ESMT
    引脚配置[ 2 ， 3 ， 4 ]
    48球VFBGA
    顶视图
    M24L816512DA
    产品组合产品
    功耗
    产品
    分钟。
    M24L816512DA
    2.7
    V
    CC
    范围（V ）
    速度快（纳秒）
    马克斯。
    3.6
    55
    70
    我的操作
    CC
    （MA ）
    F = 1MHz的
    Typ.[5]
    2
    马克斯。
    5
    f = f
    最大
    Typ.[5]
    11
    马克斯。
    22
    17
    待机情况下，我
    SB2
    (µA)
    典型值。 [5]
    55
    马克斯。
    100
    110 （用于V
    CC
    >3.3V ）
    典型值。
    3.0
    注意事项：
    2.DNU引脚是悬空或连接到VSS 。
    3.Ball G 2 ，H 6是该地址的扩展标签为16兆位和32兆位密度分别。
    4.NC “无连接” - 而不是在内部连接到芯片。
    5.Typical值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量
    CC
    = V
    CC （典型值）
    和T
    A
    = 25°C.
    晶豪科科技有限公司
    出版日期
    :
    2008年7月
    调整
    :
    1.1
    2/12

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