欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

M52D32162A-7.5BG 参数 Datasheet PDF下载

M52D32162A-7.5BG图片预览
型号: M52D32162A-7.5BG
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 1米x 16Bit的X 2Banks同步DRAM [1M x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM]
分类和应用: 动态存储器
文件页数/大小: 30 页 / 768 K
品牌: ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
 浏览型号M52D32162A-7.5BG的Datasheet PDF文件第1页浏览型号M52D32162A-7.5BG的Datasheet PDF文件第2页浏览型号M52D32162A-7.5BG的Datasheet PDF文件第3页浏览型号M52D32162A-7.5BG的Datasheet PDF文件第5页浏览型号M52D32162A-7.5BG的Datasheet PDF文件第6页浏览型号M52D32162A-7.5BG的Datasheet PDF文件第7页浏览型号M52D32162A-7.5BG的Datasheet PDF文件第8页浏览型号M52D32162A-7.5BG的Datasheet PDF文件第9页  
ESMT
DQ0 〜 15
VDD / VSS
VDDQ / VSSQ
N.C / RFU
数据输入/输出
电源/接地
数据输出电源/接地
无连接/
留作将来使用
M52D32162A
数据输入/输出复用在相同的针。
电源和地的输入缓冲器和核心逻辑。
对于输出缓冲隔离电源和接地,以提供改进的
抗干扰能力。
该引脚建议留在设备上的连接。
绝对最大额定值
参数
任何引脚相对于V电压
SS
在V电压
DD
供应相对于V
SS
储存温度
功耗
短路电流
符号
V
IN
,V
OUT
V
DD
,V
DDQ
T
英镑
P
D
I
OS
价值
-1.0 ~ 4.6
-1.0 ~ 4.6
-55 ~ + 150
0.7
50
单位
V
V
°
C
W
MA
注意:
如果绝对最大额定值超出可能会造成永久性损坏设备。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
暴露于超过推荐的电压较高的时间过长可能会影响器件的可靠性。
直流工作条件
推荐工作条件(电压参考V
SS
= 0V ,T
A
= 0
°C
~ 70
°C
)
参数
电源电压
输入逻辑高电压
输入逻辑低电压
输出逻辑高电平
输出逻辑低电压
输入漏电流
输出漏电流
符号
V
DD
,V
DDQ
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
IL
I
OL
1.7
0.8× V
DDQ
-0.3
V
DDQ
– 0.2
-
-10
-10
典型值
1.8
1.8
0
-
-
-
-
最大
1.9
V
DDQ
+0.3
0.3
-
0.2
10
10
单位
V
V
V
V
V
uA
uA
1
2
I
OH
=-0.1mA
I
OL
= 0.1毫安
3
4
注意:
1.V
IH
(最大值)= 2.2V的AC脉冲宽度
为3ns可以接受的。
2.V
IL
(分钟) = -1.0V交流脉冲宽度
为3ns可以接受的。
3.Any输入0V
V
IN
V
DDQ
所有其他引脚都没有被测= 0V 。
4.Dout被禁用, 0V
V
OUT
V
DDQ
.
电容
(V
DD
= 1.8V ,T
A
= 25
°C
, F = 1MHz的)
时钟
RAS , CAS ,
WE
, CS , CKE , LDQM ,
UDQM
地址
DQ0 〜 DQ15
符号
C
CLK
C
IN
C
添加
C
OUT
2.0
2.0
2.0
3.5
最大
4.0
4.0
4.0
6.0
单位
pF
pF
pF
pF
晶豪科科技有限公司
出版日期
:
五月。 2007年
调整
:
1.4
4/30