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M52S128324A-10TG 参数 Datasheet PDF下载

M52S128324A-10TG图片预览
型号: M52S128324A-10TG
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内容描述: 1M ×32位×4银行同步DRAM [1M x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM]
分类和应用: 存储内存集成电路光电二极管动态存储器
文件页数/大小: 47 页 / 750 K
品牌: ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
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ESMT
框图
CLK
CKE
地址
模式
注册
时钟
发电机
组D
C银行
B组
ROW
地址
卜FF器
&放大器;
刷新
计数器
行解码器
M52S128324A
银行
检测放大器
命令解码器
控制逻辑
CS
RAS
CAS
WE
数据控制电路
输入输出&
卜FF器
闩锁电路
COLUMN
地址
卜FF器
&放大器;
刷新
计数器
DQM0~3
列解码器
DQ
引脚说明
CLK
CS
CKE
A0 ~ A11
BA0 , BA1
RAS
名字
系统时钟
芯片选择
时钟使能
地址
银行选择地址
行地址选通
输入功能
活跃在正边沿采样所有输入
禁用或启用的设备操作通过屏蔽或使所有
除了输入CLK , CKE和DQM0-3 。
面罩系统时钟从下一个时钟周期冻结操作。
CKE应该启用至少一个周期之前的新命令。
禁止输入缓冲器的电源关闭待机。
行/列地址被复用在相同的针。
行地址: RA0 〜 RA11 ,列地址: CA0 〜 CA7
选择bank中的行地址锁存器的时间被激活。
在列地址锁存器时选择的读/写的银行。
锁存行地址,在CLK的与正向边沿
RAS低。
让行存取&预充电。
闩锁, CLK与正边沿列地址
CAS
列地址选通
CAS低。
启用列的访问。
允许写操作和行预充电。
锁存数据从CAS开始,
WE
活跃的。
WE
写使能
晶豪科科技有限公司
出版日期: 2009年3月
修订: 1.4
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