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MMUN2211RLT1 参数 Datasheet PDF下载

MMUN2211RLT1图片预览
型号: MMUN2211RLT1
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内容描述: 偏置电阻晶体管 [Bias Resistor Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 8 页 / 269 K
品牌: ETL [ E-TECH ELECTRONICS LTD ]
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MMUN2211RLT1系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
特征
符号
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
h
FE
-
50
50
35
60
80
80
160
160
3.0
8.0
15
80
V
CE ( SAT )
80
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
60
100
140
140
350
350
5.0
15
30
200
150
-
最大
100
500
0.5
0.2
0.1
0.2
0.9
1.9
4.3
2.3
1.5
0.18
0.13
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.25
VDC
VDC
VDC
单位
NADC
NADC
MADC
开关特性
集电极 - 基极截止电流(V
CB
= 50V ,我
E
= 0)
集电极 - 发射极截止电流(V
CE
= 50 V,I
B
= 0)
发射基截止电流
MMUN2211RLT1
(V
EB
= 6.0 V,I
C
= 0)
MMUN2212RLT1
MMUN2213RLT1
MMUN2214RLT1
MMUN2215RLT1
MMUN2216RLT1
MMUN2230RLT1
MMUN2231RLT1
MMUN2232RLT1
MMUN2233RLT1
MMUN2234RLT1
集电极 - 基极击穿电压(I
C
= 10毫安,我
E
=0)
集电极 - 发射极击穿电压
(3)
(I
C
= 2.0毫安,我
B
=0)
基本特征
直流电流增益
(V
CE
= 10 V,I
C
= 5.0 mA)的
(3)
MMUN2211RLT1
MMUN2212RLT1
MMUN2213RLT1
MMUN2214RLT1
MMUN2215RLT1
MMUN2216RLT1
MMUN2230RLT1
MMUN2231RLT1
MMUN2232RLT1
MMUN2233RLT1
MMUN2234RLT1
集电极 - 发射极饱和电压(I
C
= 10毫安,我
E
=0.3mA)
(I
C
= 10 mA时,我
B
= 5 mA)的MMUN2230RLT1 MMUN2231RLT1
(I
C
= 10 mA时,我
B
= 1 mA)的MMUN2215RLT1 MMUN2216RLT1
MMUN2232RLT1 MMUN2233RLT1 MMUN2234RLT1
输出电压(上)
(V
CC
=5.0V,V
B
= 2.5V ,R
L
=1.0kΩ)
MMUN2211RLT1
MMUN2212RLT1
MMUN2214RLT1
MMUN2215RLT1
MMUN2216RLT1
MMUN2230RLT1
MMUN2231RLT1
MMUN2232RLT1
MMUN2233RLT1
(V
CC
=5.0V,V
B
= 3.5V ,R
L
= 1.0kΩ)
输出电压(关) (V
CC
=5.0V,V
B
= 0.5V ,R
L
=1.0kΩ)
(V
CC
=5.0V,V
B
= 0.050V ,R
L
=1.0kΩ)
MMUN2230RLT1
(V
CC
=5.0V,V
B
= 0.25V ,R
L
=1.0kΩ)
MMUN2215RLT1
MMUN2216RLT1
MMUN2233RLT1
3.脉冲测试:脉冲宽度< 300
µs,
占空比< 2.0 %
MMUN2234RLT1
MMUN2213RLT1
V
OL
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
OH
4.9
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
-
VDC
VDC
Q2–2/8