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MMUN2211RLT1 参数 Datasheet PDF下载

MMUN2211RLT1图片预览
型号: MMUN2211RLT1
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内容描述: 偏置电阻晶体管 [Bias Resistor Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 8 页 / 269 K
品牌: ETL [ E-TECH ELECTRONICS LTD ]
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MMUN2211RLT1系列
典型电气特性
MMUN2212RLT1
h
FE
,直流电流增益(标准化)
V
CE ( SAT )
最大集电极电压(伏)
1
1000
I
C
/I
B
=10
V
CE
= 10 V
T
A
=75°C
25°C
–25°C
T
A
= –25°C
25°C
0.1
75°C
100
0.01
0.001
0
20
40
60
80
10
1
10
100
I
C
,集电极电流(毫安)
I
C
,集电极电流(毫安)
图7. V
CE ( SAT )
与我
C
4
100
图8.直流电流增益
75°C
25°C
T
A
= –25°C
I
C
,集电极电流(毫安)
Ç OB ,电容(pF )
F = 1 MHz的
l
E
= 0 V
3
10
T
A
= 25°C
1
2
0.1
1
0.01
0.001
0
1
2
3
4
5
6
7
8
V
O
= 5 V
9
10
0
0
10
20
30
40
50
V
R
,反向偏置电压(伏)
V
in
,输入电压(伏)
图9.输出电容
图10.输出电流与输入电压
100
V
in
,输入电压(伏)
V
O
= 0.2 V
T
A
= –25°C
10
75°C
25°C
1
0.1
0
10
20
30
40
50
I
C
,集电极电流(毫安)
图11.输入电压与输出电流
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