EM562161BC-70 参数 Datasheet PDF下载

型号：	EM562161BC-70
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内容描述：	128K ×16的低功耗SRAM [128K x 16 Low Power SRAM]
分类和应用：	静态存储器
文件页数/大小：	12 页 / 137 K
品牌：	ETRON [ ETRON TECHNOLOGY, INC. ]

EtronTech

经营模式

模式

CE1 CE2 ＃

OE ＃

WE＃

磅＃

读

写

输出取消

待机

UB ＃

高-Z

DQ0~DQ7

DOUT

高-Z

DOUT

DIN

高-Z

DIN

高-Z

DOUT

高-Z

DIN

高-Z

EM562161

DQ8~DQ15

动力

活跃

待机

注： X =不在乎。 H =逻辑高电平。 L =逻辑低。

绝对最大额定值

电源电压（VDD）

输入电压VIN

输入和输出电压， VI / O

工作温度， TOPR

储存温度， TSTRG

焊接温度（ 10秒）， TSOLDER

功耗PD

-0.3〜 + 4.6V

-0.5〜 VDD + 0.5V

-40至+ 85°C

-55到+ 150°C

240°C

0.6 W

DC推荐工作条件（ TA = -40 ° C至85°C ）

符号

VDD

VIH

VIL

VDR

参数

电源电压

输入高电压

输入低电压

数据保持电源电压

民

2.7

2.2

-0.3

(2)

典型值

−

最大

3.6

VDD + 0.3

0.6

3.6

(1)

单位

1.5

注意：

（ 1 ）过冲： VDD + 2.0V的情况下，脉冲宽度

≤

20ns

（2）下冲： -2.0V的情况下，脉冲宽度的

≤

20ns

初步

1.0版

2001年7月

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