EM562161BC-70 参数 Datasheet PDF下载

型号：	EM562161BC-70
PDF下载：	下载PDF文件查看货源
内容描述：	128K ×16的低功耗SRAM [128K x 16 Low Power SRAM]
分类和应用：	静态存储器
文件页数/大小：	12 页 / 137 K
品牌：	ETRON [ ETRON TECHNOLOGY, INC. ]

EtronTech

读周期

符号

TRC

TAA

tCO1

tCO2

TOE

TBA

TLZ

TOLZ

tBLZ

太赫兹

tOHZ

tBHZ

TOH

写周期

符号

TWC

TWP

TCW

TBW

TAS

tWR的

tWHZ

拖车

TDS

TDH

写周期时间

把脉冲宽度

芯片使能写操作的结束

数据字节的控制来写结束

地址建立时间

写恢复时间

WE＃低到输出的高阻

WE＃高到输出中低Z

数据建立时间

数据保持时间

参数

−

读周期时间

地址访问时间

芯片使能（ CE1 ＃）访问时间

芯片使能（ CE2 ）访问时间

输出启用访问时间

数据字节的控制访问时间

芯片使能低-Z低到输出

输出使能低-Z低到输出

数据字节控制低到输出低-Z

芯片使能高到输出的高阻

输出使能高到输出的高阻

数据字节控制高到输出的高阻

输出数据保持时间

参数

−

EM562161

交流特性和工作条件（ TA = -40 ° C至85°C ， V DD = 2.7V至3.6V ）

EM562161

-55

-70

最小值最大值最小值最大值

−

单位

EM562161

-55

-70

最小值最大值最小值最大值

−

单位

AC测试条件

•

输出负载： 50pF的+ 1 TTL门

•

输入脉冲电平： 0.4V ， 2.4V

•

定时测量： 0.5× V

•

TR ， TF：为5ns

初步

1.0版

2001年7月

IC37:专业IC行业平台

专业IC领域供求交易平台:提供全面的IC Datasheet资料和资讯，Datasheet 1000万数据，IC品牌1000多家。

网站导航 Datasheet资料库电子术语电子百科

服务中心 常见问题委托交易会员服务

关于我们 公司简介联系我们免责申明

产品索引：A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

深圳网络警察报警平台公共信息安全网络监察经营性网站备案信息不良信息举报中心工商网监电子标识全国公安机关备案