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型号: KP023J
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内容描述: 800mW的功率砷化镓场效应管(无铅型) [800mW GaAs Power FET (Pb-Free Type)]
分类和应用:
文件页数/大小: 13 页 / 846 K
品牌: EUDYNA [ EUDYNA DEVICES INC ]
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P0120003P
800mW的功率砷化镓场效应管(无铅型)
Typical
特征
技术说明
住友电工
4
总功耗( W)
功率降额曲线
漏极电流(mA )
1000
750
500
250
0
传输曲线
Vgs=0V
-0.5V
-1.0V
-1.5V
-2.0V
3
2
1
0
0
50
100
TC ( ℃)
150
200
0
2
4
VDS ( V)
6
8
♦负载拉移
特性(典型数据)
TC = 25°C , VDS = 6V ,
Ids=220mA,
常见的来源,莫宁= 50
(校准器件引线)
1.0
0 .6
0 .8
2 .0
6.0
5
13
13
3 .0
4 .0
5 .0
90
1.2GHz
45
10.0
0.2
0.6
0.8
2.0
3.0
4.0
5.0
0.4
1.0
0
- 0.
.0
-2
6
-1
35
4
- 0.
量表| S21 |
-0.8
规格和信息如有变更,恕不另行通知。
2003-11
住友电气工业株式会社1 ,塔亚町,荣区, 244-8588日本
电话: + 81-45-853-7263传真: + 81-45-853-1291
电子信箱:
GaAsIC-ml@ml.sei.co.jp
网站:
www.sei.co.jp/GaAsIC/
-2-
-1.0
-4.
40
- 5.0
5
-0.2
1.2GHz
-1
-10 .0
-3.
0
0 .4
2.4GHz
02
0 .2
4.0
2.0
S21
1.2GHz的2.4GHz的
S12
S11
2.4GHz
1 0.0
量表| S12 |
-180
0
0
2.4GHz
0.02
0.04
0.06
0
S22
1.2GHz
45
-4
-90
-90