BSM 100 GB 170 DN2
典型值。栅极电荷
V
GE
=
ƒ(Q
门
)
参数：
I
ç PULS
= 100 A
20
V
典型值。电容
C
=
f
(V
CE
)
参数：
V
GE
= 0中，f = 1 MHz的
10
2
nF
V
GE
16
14
12
10
8
10
0
6
4
2
0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4 µC 1.7
10
-1
0
5
10
15
20
25
30
V
V
CE
40
CRSS
科斯
800 V
1200 V
C
西塞
10
1
Q
门
反向偏置安全工作区
I
Cpuls
= F（V
CE
)
,
T
j
= 150°C
参数：
V
GE
= ± 15 V,
t
p
≤
1毫秒，L < 25 nH的
2.5
短路安全工作区
I
中信建投
= F（V
CE
) ,
T
j
= 150°C
参数：
V
GE
= ± 15 V,
t
p
≤
10微秒，L < 25 nH的
12
I
Cpuls
I
C
的di / dt = 1000A / μs的
3000A/µs
5000A/µs
I
中信建投
/I
C
的di / dt = 1000A / μs的
3000A/µs
8
5000A/µs
1.5
6
1.0
4
0.5
°允许的数量
短路： <1000
总之°之间的时间
2
电路： >1s
0.0
0
200 400 600 800 1000 1200 1400
V 1800
V
CE
0
0
200 400 600 800 1000 1200 1400
V 1800
V
CE
6
Oct-27-1997
EUPEC [ EUPEC GMBH ]
