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BSM100GB170DN2 参数 Datasheet PDF下载

BSM100GB170DN2图片预览
型号: BSM100GB170DN2
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内容描述: IGBT功率模块 [IGBT Power Module]
分类和应用: 晶体晶体管双极性晶体管局域网
文件页数/大小: 10 页 / 272 K
品牌: EUPEC [ EUPEC GMBH ]
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BSM 100 GB 170 DN2
功耗
P
合计
=
ƒ(T
C
)
参数:
T
j
150 °C
1100
W
P
合计
900
800
700
600
500
400
300
200
100
0
0
20
40
60
80
100
120
°C
160
安全工作区
I
C
=
ƒ(V
CE
)
参数:
D
= 0,
T
C
= 25°C ,
T
j
150 °C
10
3
A
I
C
10
2
t
= 1.8µs
p
10 µs
100 µs
10
1
1毫秒
10毫秒
10
0
DC
10
-1
0
10
10
1
10
2
10
3
V
T
C
V
CE
集电极电流
I
C
=
ƒ(T
C
)
参数:
V
GE
15 V ,
T
j
150 °C
170
A
I
C
140
120
100
80
60
40
20
0
0
瞬态热阻抗
Z
日JC
=
ƒ(t
p
)
参数:
D =吨
p
/
T
10
0
IGBT
K / W
Z
thJC
10
-1
D = 0.50
0.20
10
-2
0.10
0.05
0.02
0.01
单脉冲
20
40
60
80
100
120
°C
160
10
-3
-5
10
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
s 10
0
T
C
t
p
4
Oct-27-1997