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    BSM100GB170DN2 参数 Datasheet PDF下载

    BSM100GB170DN2图片预览
    型号： BSM100GB170DN2
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： IGBT功率模块 [IGBT Power Module]
    分类和应用： 晶体晶体管双极性晶体管栅局域网
    文件页数/大小： 10 页 / 272 K
    品牌： EUPEC [ EUPEC GMBH ]
     浏览型号BSM100GB170DN2的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BSM100GB170DN2的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BSM100GB170DN2的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BSM100GB170DN2的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BSM100GB170DN2的Datasheet PDF文件第6页浏览型号BSM100GB170DN2的Datasheet PDF文件第8页浏览型号BSM100GB170DN2的Datasheet PDF文件第9页浏览型号BSM100GB170DN2的Datasheet PDF文件第10页  
    BSM 100 GB 170 DN2
    典型值。切换时间
    我= F （I
    C
    ) ,
    感性负载，T
    j
    = 125°C
    面值：
    V
    CE
    = 1200 V,
    V
    GE
    = ± 15 V,
    R
    G
    = 15
    Ω
    10
    4
    典型值。切换时间
    吨= F （R
    G
    ) ,
    感性负载，T
    j
    = 125°C
    面值：
    V
    CE
    = 1200 V,
    V
    GE
    = ± 15 V,
    I
    C
    = 100 A
    10
    4
    ns
    t
    10
    3
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    ns
    tdoff
    tdoff
    Tdon
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    10
    3
    Tdon
    tr
    10
    2
    tf
    10
    2
    tf
    10
    1
    0
    50
    100
    150
    A
    I
    C
    250
    10
    1
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    20
    40
    60
    80
    Ω
    120
    R
    G
    典型值。开关损耗
    E = F（我
    C
    ) ,
    感性负载，T
    j
    = 125°C
    面值：
    V
    CE
    = 1200 V,
    V
    GE
    = ± 15 V,
    R
    G
    = 15
    Ω
    200
    MWS
    E
    160
    140
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    EOFF
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    0
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    150
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    I
    C
    250
    宙
    典型值。开关损耗
    Ë = F （R
    G
    ) ,
    感性负载
    ,
    T
    j
    = 125°C
    面值：
    V
    CE
    = 1200 V,
    V
    GE
    = ± 15 V,
    I
    C
    = 100 A
    200
    MWS
    E
    160
    140
    120
    宙
    100
    80
    60
    40
    20
    0
    0
    20
    40
    60
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    EOFF
    Ω
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    R
    G
    7
    Oct-27-1997

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