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FDC634P 参数 Datasheet PDF下载

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型号: FDC634P
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内容描述: P沟道2.5V指定的PowerTrench MOSFET [P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET]
分类和应用: 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管PC
文件页数/大小: 5 页 / 138 K
品牌: FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
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FDC634P
电气特性
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
∆T
J
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门体泄漏,正向
门体泄漏,反向
(注2 )
测试条件
V
GS
= 0 V,I
D
= –250
µA
I
D
= –250
µA,
参考25 ℃下
V
DS
= –16 V, V
GS
= 0 V
V
GS
= 8 V,
V
GS
= –8 V
V
DS
= 0 V
V
DS
= 0 V
–20
典型值
最大单位
V
开关特性
–12
–1
100
–100
毫伏/°C的
µA
nA
nA
基本特征
V
GS ( TH)
∆V
GS ( TH)
∆T
J
R
DS ( ON)
栅极阈值电压
栅极阈值电压
温度COEF网络cient
静态漏源
导通电阻
通态漏电流
正向跨导
V
DS
= V
GS
, I
D
= –250
µA
I
D
= –250
µA,
参考25 ℃下
V
GS
V
GS
V
GS
V
GS
= -4.5 V,I
D
= –3.5 A
= -2.5 V,I
D
= –3.1 A
= -4.5 V,I
D
= -3.5A ,T
J
=125°C
= –4.5 V, V
DS
= –5 V
I
D
= –3.5 A
–0.4
–0.8
3
60
82
77
–1.5
V
毫伏/°C的
80
110
130
mΩ
I
D(上)
g
FS
–10
11
A
S
V
DS
= –5 V,
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
(注2 )
V
DS
= –10 V,
F = 1.0 MHz的
V
GS
= 0 V,
779
121
56
pF
pF
pF
开关特性
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
I
S
V
SD
注意事项:
导通延迟时间
开启上升时间
关断延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DD
= –10 V,
V
GS
= –4.5 V,
I
D
= –1 A,
R
= 6
10
9
27
11
20
19
43
20
10
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
DS
= –10 V,
V
GS
= –4.5 V
I
D
= –3.5 A,
7.2
1.7
1.5
漏源二极管的特性和最大额定值
最大连续漏源二极管的正向电流
漏源二极管正向
电压
V
GS
= 0 V,I
S
= –1.3 A
(注2 )
–1.3
–0.8
–1.2
A
V
1.
R
θJA
是总和的结到壳体和壳到环境的热阻,其中所述壳体热参考被定义为所述焊料安装面
漏极引脚。 ř
θJC
由设计而ř
= CA
是通过用户的电路板的设计来确定。
a)
78 ° C / W时,
安装在一个1英寸
2
PAD
2盎司纯铜
b)
安装时, 156 ° C / W
对2盎司最小焊盘
在信纸尺寸的纸张1 : 1规模
2.
脉冲测试:脉冲宽度< 300μS ,占空比< 2.0 %
FDC634P版本E( W)