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FDC634P 参数 Datasheet PDF下载

FDC634P图片预览
型号: FDC634P
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内容描述: P沟道2.5V指定的PowerTrench MOSFET [P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET]
分类和应用: 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管PC
文件页数/大小: 5 页 / 138 K
品牌: FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
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FDC634P
典型特征
5
-V
GS
,栅源电压(V )
I
D
= -3.5A
4
电容(pF)
-15V
3
V
DS
= -5V
-10V
800
1000
C
国际空间站
F = 1 MHz的
V
GS
= 0 V
600
2
400
C
OSS
200
C
RSS
0
5
10
15
20
1
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
Q
g
,栅极电荷( NC)
0
-V
DS
,漏源极电压( V)
图7.栅极电荷特性。
100
P( PK) ,峰值瞬态功率( W)
10
图8.电容特性。
-I
D
,漏电流( A)
10
R
DS ( ON)
极限
100µ s
1ms
10ms
100ms
1s
8
单脉冲
R
θ
JA
= 156_C / W
T
A
= 25°C
6
1
V
GS
= -10V
单脉冲
R
θ
JA
= 156
o
C / W
T
A
= 2 5
o
C
0.01
0.1
1
DC
4
0.1
2
10
100
0
0.01
0.1
1
t
1
,时间(秒)
10
100
-V
ð S
,漏源电压(V )
图9.最高安全工作区。
图10.单脉冲最大
功耗。
R(T ) ,规范有效
瞬态热阻
1
D = 0.5
0.2
R
θ
JA
(吨) = R(T) + R
θ
JA
R
θ
JA
= 156℃ / W
P( PK)
t
1
t
2
T
J
- T
A
= P * R
θ
JA
(t)
占空比D = T
1
/ t
2
o
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
0.01
单脉冲
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
t
1
,时间(秒)
1
10
100
1000
图11.瞬态热响应曲线。
热特性进行使用注1b中描述的条件。
瞬态热响应将取决于电路板的设计变化。
FDC634P版本E( W)