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    FDC634P 参数 Datasheet PDF下载

    FDC634P图片预览
    型号： FDC634P
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： P沟道2.5V指定的PowerTrench MOSFET [P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET]
    分类和应用： 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管PC
    文件页数/大小： 5 页 / 138 K
    品牌： FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号FDC634P的Datasheet PDF文件第1页浏览型号FDC634P的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FDC634P的Datasheet PDF文件第4页浏览型号FDC634P的Datasheet PDF文件第5页  
    FDC634P
    典型特征
    15
    V
    GS
    = -4.5V
    -3.5V
    12
    -I
    D
    ，漏电流（ A）
    -3.0V
    R
    DS （ ON）
    归
    ,
    漏源导通电阻
    -2.5V
    V
    1.8
    V
    GS
    =-2.0V
    2
    1.6
    1.4
    1.2
    1
    0.8
    -2.5V
    -3.0V
    -3.5V
    -4.5V
    9
    -2.0V
    6
    3
    -1.5V
    0
    0
    1
    2
    3
    4
    -V
    DS
    ，漏源极电压（ V）
    0
    3
    6
    9
    12
    15
    -I
    D
    ，漏电流（ A）
    图1.区域特征。
    图2.导通电阻变化与
    漏电流和栅极电压。
    0.22
    R
    DS （ ON）
    导通电阻（ OHM ）
    ,
    1.4
    R
    DS （ ON）
    归
    ,
    漏源导通电阻
    1.3
    1.2
    1.1
    1
    0.9
    0.8
    0.7
    -50
    -25
    0
    25
    50
    75
    100
    125
    150
    T
    J
    ，结温（
    o
    C)
    I
    D
    = -3.5A
    V
    GS
    = -4.5V
    I
    D
    = -1.8A
    0.18
    0.14
    T
    A
    = 125
    o
    C
    0.1
    T
    A
    = 25
    o
    C
    0.06
    0.02
    1
    2
    3
    4
    5
    -V
    GS
    ，门源电压（ V）
    图3.导通电阻变化与
    温度。
    10
    -I
    S
    ，反向漏电流（ A）
    V
    DS
    = -5V
    8
    -I
    D
    ，漏电流（ A）
    125
    o
    C
    6
    T
    A
    = -55
    o
    C
    25
    o
    C
    图4.导通电阻变化与
    栅极 - 源极电压。
    10
    V
    GS
    = 0V
    1
    T
    A
    = 125
    o
    C
    0.1
    25
    o
    C
    0.01
    -55
    o
    C
    0.001
    4
    2
    0
    0.5
    1
    1.5
    2
    2.5
    -V
    GS
    ，门源电压（ V）
    0.0001
    0
    0.2
    0.4
    0.6
    0.8
    1
    1.2
    -V
    SD
    ，体二极管正向电压（ V）
    图5.传输特性。
    图6.体二极管正向电压的变化
    与源电流和温度。
    FDC634P版本E（ W）

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