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型号: FDS3672
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内容描述: N沟道PowerTrench MOSFET的100V , 7.5A , 22mз [N-Channel PowerTrench MOSFET 100V, 7.5A, 22mз]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关光电二极管PC
文件页数/大小: 11 页 / 260 K
品牌: FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
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FDS3672
典型特征
T
A
= 25 ° C除非另有说明
1.4
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250µA
1.2
归一化门
阈值电压
归一漏极至源极
击穿电压
1.10
I
D
= 250µA
1.05
1.0
1.00
0.8
0.95
0.6
0.4
-80
-40
0
40
80
120
T
J
,结温(
o
C)
160
0.90
-80
-40
0
40
80
120
T
J
,结温(
o
C)
160
图11.归一化栅极阈值电压Vs
结温
5000
C
国际空间站
=
C
GS
+ C
GD
图12.归漏极至源极
击穿电压VS结温
10
V
GS
,门源电压( V)
V
DD
= 50V
8
1000
C,电容(pF )
C
OSS
C
DS
+ C
GD
6
C
RSS
=
C
GD
100
4
2
V
GS
= 0V , F = 1MHz的
10
0.1
1
10
V
DS
,漏源极电压( V)
100
任意波形
降序排列:
I
D
= 7.5A
I
D
= 4A
0
5
10
15
20
Q
g
,栅极电荷( NC)
25
30
0
图13.电容VS漏极至源极
电压
图14.门充电波形恒
门电流
© 2003仙童半导体公司
FDS3672版本B