FDV303N 参数 Datasheet PDF下载

型号：	FDV303N
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内容描述：	数字场效应管， N通道 [Digital FET, N-Channel]
分类和应用：	晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管PC
文件页数/大小：	4 页 / 68 K
品牌：	FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]

电气特性

= 25

C除非另有说明）

符号

参数

条件

民

典型值

最大

单位

开关特性

DSS

漏源击穿电压

= 0 V，I

= 250 µA

= 250 μA ，参考25

= 20 V, V

= 0 V

= 55°C

GSS

门 - 体泄漏电流

（注）

100

毫伏/

µA

毫伏/

1.5

0.45

0.8

0.6

1.45

∆

DSS

∆

击穿电压温度。系数

DSS

零栅极电压漏极电流

= 8 V, V

= 0 V

= 250 μA ，参考25

= V

, I

= 250 µA

= 4.5 V，I

= 0.5 A

=125°C

= 2.7 V，I

= 0.2 A

0.65

-2.6

0.8

0.33

0.52

0.44

0.5

基本特征

∆

GS （ TH）

∆

GS （ TH）

DS （ ON）

栅极阈值电压温度。系数

栅极阈值电压

静态漏源导通电阻

Ω

D（上）

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

注意：

通态漏电流

正向跨导

= 2.7 V, V

= 5 V

= 5 V，I

= 0.5 A

= 10 V, V

= 0 V,

F = 1.0 MHz的

动态特性

输入电容

输出电容

反向传输电容

（注）

开关特性

打开 - 延迟时间

打开 - 上升时间

打开 - 关闭延迟时间

打开 - 关闭下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

= 6 V，I

= 0.5 A,

= 4.5 V ，R

根

= 50

Ω

8.5

2.3

= 5 V，I

= 0.5 A,

= 4.5 V

1.64

0.38

0.45

漏源二极管的特性和最大额定值

最大连续漏源二极管的正向电流

漏源二极管的正向电压

= 0 V，I

= 0.5 A

（注）

0.3

0.83

1.2

脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％。

FDV303N Rev.D1

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