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FDV303N 参数 Datasheet PDF下载

FDV303N图片预览
型号: FDV303N
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内容描述: 数字场效应管, N通道 [Digital FET, N-Channel]
分类和应用: 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管PC
文件页数/大小: 4 页 / 68 K
品牌: FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
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典型电气特性
1.5
2
R
DS ( ON)
归一化
漏源导通电阻
I
D
,漏源电流(A )
1.2
V
GS
= 4.5V
3.5
3.0
2.7
2.5
2.0
V
GS
= 2.0V
1.5
0.9
2.5
2.7
3.0
3.5
4.5
0.6
1
0.3
1.5
0
0.5
0
0.5
1
1.5
2
V
DS
,漏源电压(V )
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
I
D
,漏电流( A)
图1.区域特征。
图2.导通电阻变化与
漏电流和栅极电压。
1.6
漏源导通电阻
2
I
D
=0.5 A
R
DS ( ON)
,导通电阻( OHM )
ID = 0.5A
1.6
R
DS ( ON)
归一化
1.4
V
GS
= 4.5 V
1.2
1.2
1
0.8
125°C
0.4
0.8
25°C
0.6
-50
0
-25
0
25
50
75
100
T
J
,结温( ° C)
125
150
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
V
GS
,门源电压( V)
4.5
5
网络连接gure 3 。
导通电阻变化
与温度。
图4中。
导通电阻变化与
栅 - 源电压。
1
I
S
,反向漏电流( A)
V
DS
= 5.0V
I
D
,漏电流( A)
0.8
T = -55°C
J
25°C
125°C
1
V
GS
= 0V
0.1
TJ = 125°C
25°C
0.6
0.4
0.01
-55°C
0.2
0.001
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
0.0001
V
GS
,门源电压( V)
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
V
SD
,体二极管正向电压( V)
图5.传输特性。
图6 。
体二极管正向电压
变化与源电流和温度。
FDV303N Rev.D1