热工计算与测量
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输入电容进行周期性采样。
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A（ 0时31分） ， TSIZ0 / REG ， TSIZ1 ， D（ 0点31 ） ， IRQ （ 2 ： 4 ） ， IRQ6 ， RD / WR ，连拍， IP_B （ 0 ： 1 ） ，PA （ 0 ： 4 ） ，PA （ 6 ： 7 ） ，PA （ 10:11 ） ， PA15 ，
PB19 ， PB （ 23:31 ） ，PC （ 6 ： 7 ） ，PC （ 10:13 ） ， PC15 ， PD8 ， PE （ 14:31 ） ， MII1_CRS ， MII_MDIO ， MII1_TXEN ， MII1_COL 。
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BDIP / GPL_B （ 5 ） ， BR ， BG ， FRZ / IRQ6 ， CS （ 0 ： 7 ） ， WE （ 0 ： 3 ） ， BS_A （ 0 ： 3 ） ， GPL_A0 / GPL_B0 ， OE / GPL_A1 / GPL_B1 ，
GPL_A （ 2:3） / GPL_B （ 2:3） / CS （2 ：3）， UPWAITA / GPL_A4 ， UPWAITB / GPL_B4 ， GPL_A5 ， ALE_A ， CE1_A ， CE2_A ，
OP （ 0 ： 3 ） BADDR （ 28:30
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热工计算与测量
记
在V
DDSYN
功率耗散可以忽略不计。
对于下面的讨论中，磷
D
= (V
DDL
×
I
DDL
) + P
I / O
其中，P
I / O
是我的功耗/ O的
驱动程序。
7.1预测与结至环境热阻
芯片结温，T的估计
J
在℃，可从以下公式获得：
T
J
= T
A
+ (R
θJA
×
P
D
)
其中：
T
A
=环境温度下
R
θJA
=封装结点至环境热阻（°C / W）
P
D
=功率耗散封装
结点到环境的热阻是一个行业标准值，它提供了一种快速简便
估计散热性能。然而，答案是唯一的一个估计值;测试案例已经证明
这两个因素的错误（在数量Ť
J
–T
A
）是可能的。
7.2预测与结到外壳热阻
从历史上看，热电阻常常被表示为一个结点至外壳热的总和
性和外壳到环境的热阻：
R
θJA
= R
θJC
+ R
= CA
其中：
R
θJA
=结点至环境热阻（ ° C / W）
R
θJC
=结到外壳热阻（ ° C / W）
R
= CA
=外壳到环境的热阻（ ° C / W）
R
θJC
是设备相关的，并且不能由用户的影响。用户调节的热环境来
影响案件到环境的热阻，R
= CA
。例如，用户可以改变溢流周围的空气
该装置中，添加一个散热器，改变在所述印刷电路板上的安装装置，或者改变
在器件周围的印刷电路板的散热。该热模型是最有用
陶瓷封装的散热片，其中约90 ％的热量流过的情况下和热沉
到周围环境中。对于大多数的包，需要一个更好的模型。
MPC875 / MPC870硬件规格，版本3.0
飞思卡尔半导体公司
初步-如有更改，恕不另行通知
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FREESCALE [ FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC ]
