欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

MBM29DL324BE-90TN 参数 Datasheet PDF下载

MBM29DL324BE-90TN图片预览
型号: MBM29DL324BE-90TN
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 32M ( 4M ×8 / 2M ×16 )位双操作 [32M (4M x 8/2M x 16) BIT Dual Operation]
分类和应用: 闪存存储内存集成电路光电二极管
文件页数/大小: 80 页 / 1459 K
品牌: FUJITSU [ FUJITSU COMPONENT LIMITED. ]
 浏览型号MBM29DL324BE-90TN的Datasheet PDF文件第1页浏览型号MBM29DL324BE-90TN的Datasheet PDF文件第3页浏览型号MBM29DL324BE-90TN的Datasheet PDF文件第4页浏览型号MBM29DL324BE-90TN的Datasheet PDF文件第5页浏览型号MBM29DL324BE-90TN的Datasheet PDF文件第6页浏览型号MBM29DL324BE-90TN的Datasheet PDF文件第7页浏览型号MBM29DL324BE-90TN的Datasheet PDF文件第8页浏览型号MBM29DL324BE-90TN的Datasheet PDF文件第9页  
MBM29DL32XTE/BE
-80/90/12
)
(续)
在MBM29DL32XTE / BE,全新的设计理念得以实施,所谓的“滑动银行体系” 。下
这一概念, MBM29DL32XTE / BE可以生产一个系列的器件具有不同的银行1 / 2银行规模
组合; 0.5兆/ 31.5兆, 4兆/ 28兆, 8兆/ 24兆, 16兆/ 16 MB。
消除总线争用的装置已经单独的芯片使能(CE ),写使能(WE )和输出使能
( OE )控制。
该MBM29DL32XTE / BE的引脚和指令集兼容JEDEC标准E
2
PROM中。命令
被写入到使用标准的微处理器写定时的命令寄存器。寄存器的内容作为
输入到一个内部状态机,它控制了擦除和编程电路。写周期内部也
锁存的地址和所需要的编程数据和擦除操作。
典型地,每个扇区可以被编程,并在大约0.5秒验证。
一个扇区通常被擦除并在1.0秒验证。 (如果已完全预编程。 )
该器件还具有一个扇区擦除架构。该行业模式允许每个扇区进行擦除和
重新编程,而不会影响其他部门。该MBM29DL32XTE / BE是从出厂时被删除
工厂。
内部产生的并提供了用于在程序稳压电压和擦除操作。低V
CC
探测器
自动抑制电源的损耗写操作。编程或擦除的结束是由数据检测
DQ的投票
7
通过对DQ的触发位功能
6
或RY / BY输出引脚。一旦编程或擦除的结束
周期已经完成,该装置内部复位到读模式。
该MBM29DL32XTE / BE的回忆同时电一个行业内的整个芯片或全部位擦除
通过福勒 - Nordhiem隧道。的字节/字进行编程一个字节/字在一个时间使用的EPROM
热电子注入编程机制。
2