MBM29F160TE
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/MBM29F160BE
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（续）
该MBM29F160TE / BE是通过执行程序命令序列编程。这将调用
嵌入式程序
TM
*算法是一个内部算法，可以自动倍的编程脉冲
宽度和验证正确的单元格边距。典型地，每个扇区可以被编程，并在约0.5验证
秒。擦除是通过执行擦除命令序列来实现。这将调用嵌入式
抹去
TM
*算法是一个内部算法，可以自动preprograms数组，如果它不是已
在执行擦除操作之前编程。在擦除，设备会自动倍擦除脉冲
宽度和验证正确的单元格边距。
个别部门通常擦除和1.0秒验证。 （如果已预编程。 ）
该器件还具有一个扇区擦除架构。该行业模式允许每个扇区进行擦除和
重新编程，而不会影响其他部门。从工厂发货时MBM29F160TE / BE被擦除。
该器件具有用于读取和写入功能单一的5.0 V电源工作。内部产生
并且提供了用于所述程序稳压电压和擦除操作。低V
CC
自动探测器
禁止写入功率的损耗操作。编程或擦除的结束是由DQ的数据轮询检测
7
,
通过对DQ的触发位功能
6
或RY / BY输出引脚。一旦一个程序或擦除周期结束时一直
comleted ，装置内部复位到读模式。
该MBM29F160TE / BE也有一个硬件复位引脚。当该引脚为低电平，执行任何嵌入式
程序算法或嵌入式擦除算法终止。内部状态机，然后重置为
阅读模式。 RESET引脚可连接到系统复位电路。因此，如果在系统复位时
嵌入式程序算法或嵌入式擦除算法，该装置自动复位到读
模式和将存储在所述地址位置被编程或擦除的错误数据。这些位置
需要重写复位后。复位装置使系统的微处理器读取引导向上
固件从闪存中。
富士通的闪存技术结合多年的闪存制造经验，生产的最高
质量，可靠性和成本效益的水平。该MBM29F160TE / BE内存电擦除所有的位
内通过福勒 - Nordhiem隧道同时扇区。该字节/字编程一个字节/字
在一个时间使用热电子注入的EPROM编程机制。
* :
嵌入式擦除
TM
和嵌入式程序
TM
是Advanced Micro Devices ， Inc.的商标。
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FUJITSU [ FUJITSU COMPONENT LIMITED. ]
