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GS816036T-133I 参数 Datasheet PDF下载

GS816036T-133I图片预览
型号: GS816036T-133I
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内容描述: 1M ×18 , 512K ×32 , 512K ×36 18MB同步突发静态存储器 [1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs]
分类和应用: 存储静态存储器
文件页数/大小: 28 页 / 811 K
品牌: GSI [ GSI TECHNOLOGY ]
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Preliminary  
GS816018/32/36T-250/225/200/166/150/133  
AC Test Conditions  
Parameter  
Conditions  
VDD – 0.2 V  
Input high level  
Input low level  
0.2 V  
1 V/ns  
VDD/2  
Input slew rate  
Input reference level  
VDDQ/2  
Output reference level  
Output load  
Fig. 1  
Notes:  
1. Include scope and jig capacitance.  
2. Test conditions as specified with output loading as shown in Fig.  
1 unless otherwise noted.  
3. Device is deselected as defined by the Truth Table.  
Output Load 1  
DQ  
30pF*  
50W  
VDDQ/2  
* Distributed Test Jig Capacitance  
DC Electrical Characteristics  
Parameter  
Symbol  
Test Conditions  
Min  
Max  
Input Leakage Current  
(except mode pins)  
IIL  
VIN = 0 to VDD  
1 uA  
1 uA  
VDD ³ VIN ³ VIH  
0 V £ VIN £ VIH  
1 uA  
1 uA  
1 uA  
IIN1  
ZZ Input Current  
FT Input Current  
100 uA  
VDD ³ VIN ³ VIL  
0 V £ VIN £ VIL  
100 uA  
1 uA  
1 uA  
1 uA  
IIN2  
IOL  
Output Disable, VOUT = 0 to VDD  
IOH = 8 mA, VDDQ = 2.375 V  
IOH = 8 mA, VDDQ = 3.135 V  
IOL = 8 mA  
Output Leakage Current  
Output High Voltage  
Output High Voltage  
Output Low Voltage  
1 uA  
1.7 V  
2.4 V  
1 uA  
VOH2  
VOH3  
VOL  
0.4 V  
Rev: 2.12 3/2002  
15/28  
© 1999, Giga Semiconductor, Inc.  
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.