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GS74116AJ-7 参数 Datasheet PDF下载

GS74116AJ-7图片预览

型号：	GS74116AJ-7
PDF下载：	下载PDF文件查看货源
内容描述：	256K ×16的4Mb SRAM的异步 [256K x 16 4Mb Asynchronous SRAM]
分类和应用：	存储内存集成电路静态存储器光电二极管
文件页数/大小：	14 页 / 421 K
品牌：	GSI [ GSI TECHNOLOGY ]

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GS74116ATP/J/X

读周期2 ： WE = V

IH

TRC

地址

TAA

CE

TAC

TLZ

UB ， LB

OE

tBLZ

TOE

数据输出

TOLZ

高阻抗

TAB

tBHZ

tOHZ

数据有效

太赫兹

写周期

参数

写周期时间

地址有效到写结束

芯片使能写操作的结束

字节使能，以结束写的

数据建立时间

数据保持时间

把脉冲宽度

地址建立时间

写恢复时间（ WE）

写恢复时间（ CE ）

输出低Z从写结束

写在高Z输出

符号

TWC

TAW

TCW

TBW

TDW

TDH

TWP

TAS

tWR的

tWR1

TWLZ

*

tWHZ

*

-7

民

7

5

5

5

3.5

0

5

0

0

0

3

—

最大

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

3

民

8

5.5

5.5

5.5

4

0

5.5

0

0

0

3

—

-8

最大

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

3.5

民

10

7

7

7

4.5

0

7

0

0

0

3

—

-10

最大

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

4

民

12

8

8

8

6

0

8

0

0

0

3

—

-12

最大

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

5

单位

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

*这些参数进行采样，而不是100 ％测试。

冯： 1.03 10/2002

7/14

©2001 ，千兆半导体公司

规格援引如有更改，恕不另行通知。对于最新的文档，请参见http://www.gsitechnology.com 。

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