GS74116AJ-7 参数 Datasheet PDF下载

型号：	GS74116AJ-7
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内容描述：	256K ×16的4Mb SRAM的异步 [256K x 16 4Mb Asynchronous SRAM]
分类和应用：	存储内存集成电路静态存储器光电二极管
文件页数/大小：	14 页 / 421 K
品牌：	GSI [ GSI TECHNOLOGY ]

GS74116ATP/J/X

电源电流

参数

符号

测试条件

≤

所有其它输入

≥

≤

分钟。周期

OUT

= 0毫安

≥

所有其它输入

≥

≤

分钟。周期

≥

– 0.2V

所有其它输入

≥

- 0.2 V或

≤

0.2 V

0至70℃

7纳秒

8纳秒

10纳秒

12纳秒

7纳秒

-40到85°C

8纳秒

10纳秒

12纳秒

单位

操作

供应

当前

150

130

105

160

140

115

100

待机

当前

SB1

待机

当前

SB2

AC测试条件

参数

输入高电平

输入低电平

输入上升时间

输入下降时间

输入参考电平

输出参考电平

输出负载

条件

= 2.4 V

= 0.4 V

TR = 1 V / ns的

TF = 1 V / ns的

1.4 V

图。 1& 2

输出负载1

50Ω

VT = 1.4 V

30pF

输出负载2

3.3 V

5pF

589Ω

434Ω

注意：

1.包括范围和夹具电容。

2.测试条件与输出负载指定所示

图。 1

除非另有说明。

3.输出负载2吨

, t

OLZ

和T

OHZ

冯： 1.03 10/2002

5/14

规格援引如有更改，恕不另行通知。对于最新的文档，请参见http://www.gsitechnology.com 。

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