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GS74116AJ-7 参数 Datasheet PDF下载

GS74116AJ-7图片预览
型号: GS74116AJ-7
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内容描述: 256K ×16的4Mb SRAM的异步 [256K x 16 4Mb Asynchronous SRAM]
分类和应用: 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
文件页数/大小: 14 页 / 421 K
品牌: GSI [ GSI TECHNOLOGY ]
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GS74116ATP/J/X
写周期1 :我们控制
TWC
地址
TAW
OE
TCW
CE
TBW
UB , LB
TAS
WE
TDW
DATA IN
tWHZ
数据输出
TDH
数据有效
TWLZ
高阻抗
TWP
tWR的
写周期2 : CE控制
TWC
地址
TAW
OE
TAS
CE
TBW
UB , LB
TWP
WE
TDW
DATA IN
数据输出
TDH
数据有效
TCW
tWR1
高阻抗
冯: 1.03 10/2002
8/14
©2001 ,千兆半导体公司
规格援引如有更改,恕不另行通知。对于最新的文档,请参见http://www.gsitechnology.com 。