GS81032AT/Q-150/138/133/117/100/66
冲测量和定时
V
IH
V
DD
+ -2.0 V
V
SS
50%
V
SS
– 2.0 V
20 ％ TKC
V
IL
50%
V
DD
超调测和定时
20 ％ TKC
电容
(T
A
= 25
o
C，F = 1 MH
Z
, V
DD
= 3.3 V)
参数
控制输入电容
输入电容
输出电容
注：此参数为样本进行测试。
符号
C
I
C
IN
C
OUT
测试条件
V
DD
= 3.3 V
V
IN
= 0 V
V
OUT
= 0V
典型值。
3
4
6
马克斯。
4
5
7
单位
pF
pF
pF
封装热特性
等级
结到环境（在200 LFM ）
结到环境（在200 LFM ）
层板
单身
FOUR
符号
R
θJA
R
θJA
TQFP最大
40
24
QFP最大
待定
待定
单位
° C / W
° C / W
笔记
1,2,4
1,2,4
R
θJC
结到外壳（顶部）
9
待定
° C / W
3,4
注意事项：
1.结温是SRAM的功耗，封装热阻，安装板温度，环境的函数。 Temper-
ATURE空气流，板密度，和印刷电路板的耐热性。
2. SCMI G- 38-87 。
模和顶面之间3.平均热阻， MIL SPEC -883 ，方法1012.1 。
4.对于X18的配置，向厂家咨询。
冯： 1.01 7/2001
10/23
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规格援引如有更改，恕不另行通知。对于最新的文档，请参见http://www.gsitechnology.com 。
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