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GS81032AT-6I 参数 Datasheet PDF下载

GS81032AT-6I图片预览
型号: GS81032AT-6I
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内容描述: 32K ×32 1M同步突发SRAM [32K x 32 1M Synchronous Burst SRAM]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 23 页 / 759 K
品牌: GSI [ GSI TECHNOLOGY ]
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GS81032AT/Q-150/138/133/117/100/66
绝对最大额定值
(所有电压参考V
SS
)
符号
V
DD
V
DDQ
V
CK
V
I / O
V
IN
I
IN
I
OUT
P
D
T
英镑
T
BIAS
描述
在V电压
DD
引脚
电压V
DDQ
引脚
在时钟输入引脚电压
在I / O引脚电压
对其他输入引脚电压
任何引脚输入电流
任何I / O引脚输出电流
封装功耗
储存温度
在偏置温度
价值
-0.5到4.6
-0.5到V
DD
-0.5 〜6
-0.5到V
DDQ
+0.5 ( ≤ 4.6 V最大。 )
-0.5到V
DD
+0.5 ( ≤ 4.6 V最大。 )
+/–20
+/–20
1.5
-55至125
-55至125
单位
V
V
V
V
V
mA
mA
W
o
C
o
C
注意:
如果绝对最大额定值超出可能出现永久性损坏设备。操作应仅限于推荐
工作条件。暴露在条件超过绝对最大额定值,对于较长时间,可能会影响可靠性
此组件。
推荐工作条件
参数
电源电压
I / O电源电压
输入高电压
输入低电压
环境温度(商业范围的版本)
符号
V
DD
V
DDQ
V
IH
V
IL
T
A
分钟。
3.135
2.375
1.7
–0.3
0
典型值。
3.3
2.5
25
马克斯。
3.6
V
DD
V
DD
+0.3
0.8
70
单位
V
V
V
V
°C
笔记
1
2
2
3
T
A
环境温度(工业温度范围版本)
–40
25
85
°C
3
注意事项:
1.除非另有说明,引用的所有性能规格是在两个2.75V,评价为最坏的情况
V
DDQ
2.375 V(即2.5 V的I / O)
和3.6 V
V
DDQ
3.135 V(即3.3 VI / O) ,并在任何情况报价是最坏的情况。
2.该器件具有输入缓冲器与两个3.3 V和2.5 VI / O驱动程序兼容。
3.大多数速度等级和本设备的配置,在商业和工业温度范围内提供。部分数
工业级温度范围的版本结束字符“ I” 。除非另有说明,引用的所有的性能指标进行评价
在最坏情况的带有标记的设备上的温度范围。
4.输入欠压/过冲电压必须是-2 V >六< V
DD
2 V的脉冲宽度不超过20 % TKC 。
冯: 1.01 7/2001
9/23
©2000 ,千兆半导体公司
规格援引如有更改,恕不另行通知。对于最新的文档,请参见http://www.gsitechnology.com 。