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GS81032AT-6I 参数 Datasheet PDF下载

GS81032AT-6I图片预览
型号: GS81032AT-6I
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内容描述: 32K ×32 1M同步突发SRAM [32K x 32 1M Synchronous Burst SRAM]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 23 页 / 759 K
品牌: GSI [ GSI TECHNOLOGY ]
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GS81032AT/Q-150/138/133/117/100/66
AC测试条件
参数
输入高电平
输入低电平
输入转换率
输入参考电平
输出参考电平
条件
2.3 V
0.2 V
1 V / ns的
1.25 V
1.25 V
输出负载
图。 1& 2
注意事项:
1.包括范围和夹具电容。
2.测试条件与输出负载指定所示
图。 1
除非另有说明。
3.输出负载2吨
LZ
, t
HZ
, t
OLZ
和叔
OHZ
.
由真值表定义4.设备被取消。
输出负载1
DQ
50Ω
VT = 1.25 V
*分布式测试夹具电容
输出负载2
2.5 V
30pF
*
DQ
5pF
*
225Ω
225Ω
DC电气特性
参数
输入漏电流
(除模式引脚)
ZZ输入电流
MODE引脚输入电流
输出漏电流
输出高电压
输出高电压
输出低电压
符号
I
IL
I
INZZ
I
INM
I
OL
V
OH
V
OH
V
OL
测试条件
V
IN
= 0至V
DD
V
DD
V
IN
V
IH
0 V
V
IN
V
IH
V
DD
V
IN
V
IL
0 V
V
IN
V
IL
输出禁用,
V
OUT
= 0至V
DD
I
OH
= -4毫安,V
DDQ
= 2.375 V
I
OH
= -4毫安,V
DDQ
= 3.135 V
I
OL
= 4毫安
-1微安
-1微安
-1微安
-300微安
-1微安
-1微安
1.7V
2.4 V
最大
1微安
1微安
300微安
1微安
1微安
1微安
0.4 V
冯: 1.01 7/2001
11/23
©2000 ,千兆半导体公司
规格援引如有更改,恕不另行通知。对于最新的文档,请参见http://www.gsitechnology.com 。