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GS8170DW36C-250 参数 Datasheet PDF下载

GS8170DW36C-250图片预览
型号: GS8170DW36C-250
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内容描述: 18MBヒ1x1Dp CMOS I / O双晚写SigmaRAM [18Mb ヒ1x1Dp CMOS I/O Double Late Write SigmaRAM]
分类和应用:
文件页数/大小: 27 页 / 1413 K
品牌: GSI [ GSI TECHNOLOGY ]
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GS8170DW36/72C-333/300/250/200
512K ×36通用I / O -顶视图( C组)
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DQA
DQA
DQA
DQA
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DQC
DQC
DQC
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CQ2
NC
NC
NC
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DQD
DQD
DQD
DQD
DQD
11× 19焊球BGA- 14× 22毫米
2
身体1毫米凸块间距
注意:
CMOS I / O SigmaRAMs的用户不妨来连接“NC ,V
REF
“和” NC, CK“销到V
REF
(即,V
DDQ
/ 2) ,以允许备用
利用未来HSTL I / O SigmaRAMs的。
冯: 2.04 5/2005
3/27
© 2002年, GSI Technology,Inc.的
规格援引如有更改,恕不另行通知。对于最新的文档,请参见http://www.gsitechnology.com 。