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    GS8170DW36C-250 参数 Datasheet PDF下载

    GS8170DW36C-250图片预览
    型号： GS8170DW36C-250
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 18MBヒ1x1Dp CMOS I / O双晚写SigmaRAM [18Mb ヒ1x1Dp CMOS I/O Double Late Write SigmaRAM]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 27 页 / 1413 K
    品牌： GSI [ GSI TECHNOLOGY ]
     浏览型号GS8170DW36C-250的Datasheet PDF文件第1页浏览型号GS8170DW36C-250的Datasheet PDF文件第2页浏览型号GS8170DW36C-250的Datasheet PDF文件第3页浏览型号GS8170DW36C-250的Datasheet PDF文件第4页浏览型号GS8170DW36C-250的Datasheet PDF文件第6页浏览型号GS8170DW36C-250的Datasheet PDF文件第7页浏览型号GS8170DW36C-250的Datasheet PDF文件第8页浏览型号GS8170DW36C-250的Datasheet PDF文件第9页  
    GS8170DW36/72C-333/300/250/200
    读操作
    流水线阅读
    阅读时，同时满足下列条件时时钟的上升沿启动操作：所有这三个芯片使能（ E1 ， E2 ，
    和E3 ）是活动的，写使能输入信号（W ）被拉高高， ADV为低电平。呈现给地址
    地址输入锁存到地址寄存器，并提供给存储器核心和控制逻辑。所述控制逻辑确定
    该读访问过程中，允许所请求的数据传播到输出寄存器的输入端。在下一个上升沿
    时钟的读出的数据被允许通过输出寄存器和到输出引脚传播
    单倍数据速率（ SDR ）流水线阅读。
    读了
    CK
    地址
    ADV
    E1
    W
    DQ
    CQ
    Q（ A）
    Q（ B）
    Q（ C）
    Q（ D）
    A
    B
    C
    D
    E
    DESELECT
    阅读B
    READ C
    阅读ð
    写操作
    当满足以下条件时，在时钟的上升沿时写操作：所有这三个芯片使能（ E1 ，E2和
    E3 ）是活动的，写使能输入信号（ W）为低电平时，和ADV为低电平。
    冯： 2.04 5/2005
    5/27
    © 2002年， GSI Technology，Inc.的
    规格援引如有更改，恕不另行通知。对于最新的文档，请参见http://www.gsitechnology.com 。

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