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GS8180D18GD-250I 参数 Datasheet PDF下载

GS8180D18GD-250I图片预览
型号: GS8180D18GD-250I
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内容描述: 4 SigmaQuad SRAM 18MB爆 [18Mb Burst of 4 SigmaQuad SRAM]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 28 页 / 851 K
品牌: GSI [ GSI TECHNOLOGY ]
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GS8180D18D-250/200/167/133/100
FLXDrive - II输出驱动器阻抗控制
HSTL I / O SigmaQuad的SRAM提供可编程阻抗输出驱动器。该ZQ引脚必须连接到V
SS
通过一个外部电阻, RQ ,以使SRAM监控和调整其输出驱动器阻抗。 RQ的值必须是5倍的
由SRAM控制的目标线路阻抗的值。 RQ的允许范围,以保证与阻抗匹配
供应商指定的容差为150Ω和300Ω之间。输出驱动器阻抗的定期调整是必要的,因为
阻抗是由电源电压和温度漂移的影响。一个时钟周期计数器定时触发的阻抗
评估,再复位和计数。每个阻抗的评价可能将输出驱动器阻抗水平一步一个脚印的时间
向最佳水平。输出驱动器具有独立的二进制加权阻抗的步骤实施。 SRAM的需要
32K的启动周期,选择或取消选择,V后
DD
达到工作范围达到其设定的输出驱动器阻抗。
4 SigmaQuad SRAM真值表独立的I / O突发
A
K
(t
n
)
R
K
(t
n
)
W
K
(t
n
)
手术
K
(t
n-1
)
当前
手术
K
(t
n
)
D
K
(t
n+1
)
D
K
(t
n+1�½
)
D
K
(t
n+2
)
D
K
(t
n+2�½
)
Q
K
(t
n+1
)
Q
K
(t
n+1�½
)
Q
K
(t
n+2
)
Q
K
(t
n+2�½
)
X
X
X
V
V
V
V
1
1
X
1
0
X
0
1
X
1
0
X
0
X
DESELECT
DESELECT
DESELECT
DESELECT
DESELECT
DESELECT
X
D2
X
D0
X
D0
D2
X
D3
X
D1
X
D1
D3
D2
D2
D3
D3
高阻
高阻
Q2
高阻
Q0
Q2
Q0
高阻
高阻
Q3
高阻
Q1
Q3
Q1
Q2
Q2
Q3
Q3
注意事项:
1,“ 1”=输入“高” ; “ 0 ” =输入“低” ; “V” =输入“有效” ; “X” =输入“不在乎”
2. “ - ”表明该输入要求或输出状态是由一个操作来确定。
3. Q0,Q1 , Q2和Q3表示第一,第二,第三和第四块中读取操作传送的输出数据。
4. D0,D1, D2和D3表示第一,第二,第三和第四条在写入操作期间传送来的输入数据。
5. Q报表是三态为一个周期响应取消和写入命令,该命令后一个周期进行采样,预时除外
通过Read命令割让。
6.用户不应在亚稳地址时钟。
冯: 2.04 4/2005
9/28
© 2002年, GSI技术
规格援引如有更改,恕不另行通知。对于最新的文档,请参见http://www.gsitechnology.com 。