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GS8182S18D 参数 Datasheet PDF下载

GS8182S18D图片预览
型号: GS8182S18D
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内容描述: 2个DDR SigmaSIO -II SRAM 18MB爆 [18Mb Burst of 2 DDR SigmaSIO-II SRAM]
分类和应用: 静态存储器双倍数据速率
文件页数/大小: 31 页 / 1328 K
品牌: GSI [ GSI TECHNOLOGY ]
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GS8182S18D-267/250/200/167
1M ×18 SigmaQuad SRAM的顶视图
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
CQ
NC
NC
NC
NC
NC
NC
D
关闭
NC
NC
NC
NC
NC
NC
TDO
2
V
SS
/ SA
(144Mb)
Q9
NC
D11
NC
Q12
D13
V
REF
NC
NC
Q15
NC
D17
NC
TCK
3
NC / SA
(36Mb)
D9
D10
Q10
Q11
D12
Q13
V
DDQ
D14
Q14
D15
D16
Q16
Q17
SA
4
读/写
SA
V
SS
V
SS
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
SS
V
SS
SA
SA
5
BW1
NC
SA
V
SS
V
SS
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
SS
V
SS
SA
SA
SA
6
K
K
SA
V
SS
V
SS
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SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
SA
C
C
7
NC
BW0
SA
V
SS
V
SS
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
SS
V
SS
SA
SA
SA
8
LD
SA
V
SS
V
SS
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
SS
V
SS
SA
SA
9
SA
NC
NC
NC
NC
NC
NC
V
DDQ
NC
NC
NC
NC
NC
NC
SA
10
V
SS
/ SA
(72Mb)
NC
Q7
NC
D6
NC
NC
V
REF
Q4
D3
NC
Q1
NC
D0
TMS
11
CQ
Q8
D8
D7
Q6
Q5
D5
ZQ
D4
Q3
Q2
D2
D1
Q0
TDI
11 ×15焊球BGA - 13× 15平方毫米车身1毫米凸块间距
注意事项:
1.扩展地址: A3为36MB , A10为72MB , A2为144MB
2. BW0控制写入D0 : D8 。 BW1控制写入D9 : D17 。
3.建议H1绑低与未来器件的兼容性。
冯: 1.08A 8/2005
2/31
© 2003 , GSI技术
规格援引如有更改,恕不另行通知。对于最新的文档,请参见http://www.gsitechnology.com 。