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HDD32M64F8K-10A 参数 Datasheet PDF下载

HDD32M64F8K-10A图片预览
型号: HDD32M64F8K-10A
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内容描述: DDR SDRAM模组256Mbyte ( 32Mx64bit ) ,基于on16Mx8,4Banks , 4K参考, SMM , [DDR SDRAM Module 256Mbyte (32Mx64bit), based on16Mx8,4Banks, 4K Ref., SMM,]
分类和应用: 动态存储器双倍数据速率
文件页数/大小: 11 页 / 160 K
品牌: HANBIT [ HANBIT ELECTRONICS CO.,LTD ]
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韩光
绝对最大额定值
参数
任何引脚相对于VSS的电压
在V电压
DD
供应相对于VSS
在V电压
DDQ
供应相对于VSS
储存温度
功耗
符号
V
IN
, V
OUT
V
DD
V
DDQ
T
英镑
P
D
等级
-o.5 ~ 3.6
-1.0 ~ 3.6
-0.5 ~ 3.6
-55 ~ +150
16.0
HDD32M64F8K
Unte
V
V
V
°
C
W
mA
短路电流
I
OS
50
注意事项:
工作在高于绝对最大额定值可以器件的可靠性产生不利影响
直流工作条件
(推荐工作条件(电压参考VSS = 0V ,T
A
= 0〜 70 °)的
C)
参数
电源电压
I / O电源电压
I / O参考电压
I / O端子电压(系统)
输入高电压
输入低电压
输入电压电平, CK和/ CK投入
输入差分电压, CK和/ CK投入
输入漏电流
输出漏电流
高输出电流(V
OUT
= 1.95V)
符号
V
DD
V
DDQ
V
REF
V
TT
V
IH
(DC)的
V
IL
(DC)的
V
IN
(DC)的
V
ID
(DC)的
I
LI
I
OZ
I
OH
2.3
2.3
1.15
V
REF
0.04
V
REF
+ 0.15
-0.3
-0.3
0.3
-2
-5
-16.8
最大
2.7
2.7
1.35
V
REF
+ 0.04
V
REF
+ 0.3
V
REF
- 0.15
V
DDQ
+ 0.3
V
DDQ
+ 0.6
2
5
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
uA
uA
mA
mA
3
1
2
输出低电流(V
OUT
= 0.35V)
I
OL
16.8
注意事项:
1.Typically , V的值
REF
预计是约0.5 * V
DD
发送设备的。
V
REF
预计将在V变化跟踪
DDQ 。
2.Peak高峰在V AC噪音
REF
不得超过2 %的V
REF
(直流) 。
3.V
TT
发射装置必须跟踪的V
REF
该接收装置的。
电容
(V
DD
=最小值到最大值,V
DDQ
= 2.5V至2.7V ,T
A
= 25 °F = 100MHz时)
C,
描述
Symbo
L
最大
单位
输入电容( A0 〜 A11 , BA0 〜 BA1 , / RAS , / CAS , / WE)
输入电容( CKE0 , CKE1 )
输入电容( / CS0 〜 / CS1 )
输入电容( CLK0 , CLK1 , CLK2 )
输入电容( DM0 〜 DM7 )
数据输入/输出电容( DQ0 〜 DQ63 , DQS0 〜 DQS7 )
网址: www.hbe.co.kr
REV 1.0 ( August.2002 )
5
C
IN1
C
IN2
C
IN3
C
IN4
C
IN5
C
OUT1
93
63
58
30
10
10
107
77
72
45
15
15
pF
pF
pF
pF
pF
pF
韩光电器有限公司。