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    HDD32M64F8K-10A 参数 Datasheet PDF下载

    HDD32M64F8K-10A图片预览
    型号： HDD32M64F8K-10A
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： DDR SDRAM模组256Mbyte （ 32Mx64bit ） ，基于on16Mx8,4Banks ， 4K参考， SMM ， [DDR SDRAM Module 256Mbyte (32Mx64bit), based on16Mx8,4Banks, 4K Ref., SMM,]
    分类和应用： 动态存储器双倍数据速率
    文件页数/大小： 11 页 / 160 K
    品牌： HANBIT [ HANBIT ELECTRONICS CO.,LTD ]
     浏览型号HDD32M64F8K-10A的Datasheet PDF文件第3页浏览型号HDD32M64F8K-10A的Datasheet PDF文件第4页浏览型号HDD32M64F8K-10A的Datasheet PDF文件第5页浏览型号HDD32M64F8K-10A的Datasheet PDF文件第6页浏览型号HDD32M64F8K-10A的Datasheet PDF文件第8页浏览型号HDD32M64F8K-10A的Datasheet PDF文件第9页浏览型号HDD32M64F8K-10A的Datasheet PDF文件第10页浏览型号HDD32M64F8K-10A的Datasheet PDF文件第11页  
    韩光
    HDD32M64F8K
    AC运行试验条件
    参数
    输入参考电压的时钟
    输入信号的最大峰值摆幅
    输入信号的最小转换速率
    输入电平（V
    IH
    /V
    IL
    )
    输入定时测量参考电平
    输出定时测量参考电平
    输出负载条件
    价值
    0.5 * V
    DDQ
    1.5
    1.0
    V
    REF
    +0.35/V
    REF
    V
    REF
    V
    TT
    请参阅负载电路
    单位
    V
    V
    V
    V
    V
    V
    V
    记
    AC特性
    （这些交流charicteristics测试的组件）
    DDR200
    Symbo
    参数
    L
    行周期时间
    刷新行周期时间
    行活动时间
    / RAS到/ CAS延时
    行预充电时间
    行有效至行主动延迟
    写恢复时间
    最后的数据读取命令
    上校地址上校地址的延迟
    时钟周期时间
    CL=2.0
    t
    CK
    CL=2.5
    网址： www.hbe.co.kr
    REV 1.0 （ August.2002 ）
    7
    DDR266A
    -13A
    DDR266B
    -13B
    民
    65
    75
    最大
    ns
    ns
    120K
    ns
    ns
    ns
    ns
    t
    CK
    t
    CK
    t
    CK
    12
    12
    ns
    ns
    1
    1,2
    1,2
    3
    3
    3
    3
    2
    单位
    记
    -10A
    民
    70
    80
    48
    20
    20
    15
    2
    1
    1
    10
    12
    12
    120K
    最大
    民
    65
    75
    45
    20
    20
    15
    2
    1
    1
    7.5
    7.5
    最大
    t
    RC
    t
    RFC
    t
    RAS
    t
    RCD
    t
    RP
    t
    RRD
    t
    WR
    t
    CDLR
    t
    CCD
    120K
    45
    20
    20
    15
    2
    1
    1
    12
    12
    10
    7.5
    韩光电器有限公司。

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