韩光
4.
HDD32M64F8K
最高限额为这个参数不是一个设备的限制。该装置将使用这是一个很有价值的工作
参数，但系统性能（总线周转）将相应降低。
简化的真值表
命令
注册
注册
扩展MRS
模式寄存器设置
自动刷新
刷新
自
refres
h
AUTO
关闭
AUTO
使能控制
AUTO
关闭
AUTO
启用
H
银行的选择
所有银行
条目
出口
条目
出口
H
H
L
H
L
H
H
X
H
L
X
X
L
H
L
H
L
L
H
L
X
H
L
H
L
H
L
X
V
X
X
H
X
V
X
X
H
X
H
X
H
H
H
X
V
X
X
H
X
V
预充电
预充电
H
X
L
H
L
L
L
L
X
V
X
X
H
X
V
X
X
X
X
X
X
X
V
X
X
X
8
V
X
L
H
X
H
X
V
H
X
X
预充电
条目
出口
CKE
n-1
H
H
H
L
H
CKE
n
X
X
H
L
H
X
/ CS
L
L
L
L
H
L
/R
A
S
L
L
L
H
X
L
/C
A
S
L
L
L
H
X
H
/ WE
L
L
H
H
X
H
DM
X
X
X
X
X
V
BA
0,1
A10/
AP
操作码
操作码
X
X
行地址
L
H
X
L
H
L
H
X
V
H
L
COLUMN
地址
(A0 ~ A9)
COLUMN
地址
(A0 ~ A9)
4,6
7
5
4
4
4
A11
A9~A0
记
1,2
1,2
3
3
3
3
银行主动&行地址。
阅读&
COLUMN
地址
写&
COLUMN
地址
突发停止
PRECHARG
e
预充电
时钟暂停或
主动关机
预充电电源
Down模式
DM
没有操作命令
（V =有效，X =无关，H =逻辑高电平， L =逻辑低）
注意事项：
1. OP代码：操作数代码
A0 〜 A11 & BA0 〜 BA1 ：程序键。 （ @太太）
只能在所有银行预充电状态下发出2.黄。
一个新的命令后2 CLK周期MRS的发行。
3.自动刷新功能有相同的DRAM CBR刷新。
无行预充电命令预充电自然而然被"Auto"意思。
只能在所有银行预充电状态下发出的自动/自刷新。
4. BA0 〜 BA1 ：银行选择地址。
如果同时BA0和BA1是"Low"在读，写，行积极和预充电，银行A被选中。
如果两个BA0是"Low"和BA1是"High"在读，写，行积极和预充电，选择B银行。
如果两个BA0是"High"和BA1是"Low"在读，写，行积极和预充电， C银行被选中。
如果同时BA0和BA1是"High"在读，写，行积极和预充电，银行D被选中。
如果A10 / AP是"High"于行预充电， BA0和BA1被忽略，所有的银行都被选中。
网址： www.hbe.co.kr
REV 1.0 （ August.2002 ）
9
韩光电器有限公司。
HANBIT [ HANBIT ELECTRONICS CO.,LTD ]
