韩光
引脚功能说明
针
CK ， / CK
时钟
名字
HDD32M64F8
输入功能
和CK / CK是差分时钟输入。所有地址和控制输入信号
采样CK和CK的下降沿的上升沿。输出（读出）数据
为参考对照的两个边缘。内部时钟信号是由CK / CK 。
CKE高电平激活，和CKE低停用内部时钟信号，并
装置的输入缓冲器和输出驱动器。停用时钟提供
预充电
掉电和自刷新操作（所有银行闲置） ，或ACTIVE
CKE
时钟使能
POWER- DOWN （行积极参与任何银行） 。 CKE是同步的所有功能
除了用于禁止输出，这是异步实现。输入缓冲器，
不包括CK ， CK和CKE是在断电期间和自刷新禁用
模式，提供低待机功耗。 CKE将recognizean LVCMOS低电平
前VREF是稳定的上电。
/ CS允许（注册低）和禁用（注册高级）命令
解码器。
/ CS
芯片选择
当/ CS为高电平注册的所有命令被屏蔽。 / CS为外部
在与多家银行系统，银行的选择。 / CS被认为是部分
命令代码。
行/列地址被复用在相同的针。
A0 ~ A12
地址
行地址： RA0 〜 RA12 ，列地址： CA0 〜 CA9
BA0和BA1确定哪个银行的积极，读，写或预充电
BA0 〜 BA1
银行选择地址
命令被应用。
锁存与/ RAS低CLK的正边沿行地址。
/ RAS
行地址选通
让行存取&预充电。
锁存与/ CAS低CLK的正边沿列地址。
/ CAS
Columnaddress频闪
启用列的访问。
允许写操作和行预充电。
/ WE
写使能
锁存数据从/ CAS起， / WE活跃。
输出读取数据，输入与写入数据。边沿对齐的读数据，岑
DQS0 〜 7
数据选通
在篇幅中写入数据。用于捕获写数据。
DM为输入掩码信号为写入数据。当DM是输入数据被屏蔽
在写访问采样以及输入数据高。 DM采样
DM0~7
输入数据屏蔽
在DQS的两边。 DM引脚包括虚拟负载在内部，以匹配
DQ和DQS负载ING 。
DQ0 〜 63
数据输入/输出
数据输入/输出复用在相同的针。
WP引脚连接到VCC。
WP
写保护
当WP为
“高”
EEPROM编程将是抑制，而整个
,
内存将被写保护。
VDDQ
VDD
VSS
VREF
供应
供应
供应
供应
DQ电源： + 2.5V
±
0.2V.
电源： + 2.5V
±
0.2V （设备特定的） 。
DQ地面。
SSTL_2参考电压。
网址： www.hbe.co.kr
REV 2.0 （ November.2002 ）
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韩光电器有限公司。
HANBIT [ HANBIT ELECTRONICS CO.,LTD ]
