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HDD32M64F8-13B 参数 Datasheet PDF下载

HDD32M64F8-13B图片预览
型号: HDD32M64F8-13B
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内容描述: DDR SDRAM模组256Mbyte ( 32Mx64bit )的基础上, 32Mx8 , 4Banks , 8K参考, SMM , [DDR SDRAM Module 256Mbyte (32Mx64bit), based on 32Mx8, 4Banks, 8K Ref., SMM,]
分类和应用: 动态存储器双倍数据速率
文件页数/大小: 11 页 / 197 K
品牌: HANBIT [ HANBIT ELECTRONICS CO.,LTD ]
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韩光
绝对最大额定值
参数
任何引脚相对于VSS的电压
在V电压
DD
供应相对于VSS
在V电压
DDQ
供应相对于VSS
储存温度
功耗
符号
V
IN
, V
OUT
V
DD
V
DDQ
T
英镑
P
D
等级
-0.5 ~ 3.6
-1.0 ~ 3.6
-0.5 ~ 3.6
-55 ~ +150
8.0
HDD32M64F8
Unte
V
V
V
°
C
W
mA
短路电流
I
OS
50
注意事项:
如果绝对最大额定值超出可能会造成永久性损坏设备。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
暴露于超过推荐的电压较高的时间过长可能会影响器件的可靠性。
电源&直流工作条件
(推荐工作条件(电压参考VSS = 0V ,T
A
= 0〜 70 °)的
C)
参数
电源电压
I / O电源电压
I / O参考电压
I / O端子电压(系统)
输入高电压
输入低电压
输入电压电平, CK和/ CK投入
输入差分电压, CK和/ CK投入
输入漏电流
输出漏电流
高输出电流(V
OUT
= 1.95V)
输出低电流(V
OUT
= 0.35V)
输出高电流(半strengh驱动程序)
输出高电流(半strengh驱动程序)
符号
V
DD
V
DDQ
V
REF
V
TT
V
IH
(DC)的
V
IL
(DC)的
V
IN
(DC)的
V
ID
(DC)的
I
LI
I
OZ
I
OH
I
OL
I
OH
I
OL
2.3
2.3
V
DDQ
/2-50mV
最大
2.7
2.7
V
DDQ
/2+50mV
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
uA
uA
mA
mA
mA
mA
1
2
V
REF
0.04
V
REF
+ 0.15
-0.3
-0.3
0.3
-2
-5
-16.8
16.8
-9
9
V
REF
+ 0.04
V
REF
+ 0.3
V
REF
- 0.15
V
DDQ
+ 0.3
V
DDQ
+ 0.6
2
5
3
笔记
1.包括
±
保证金为25mV DC偏移的
V
REF
的,和组合的总
±
50mV的保证金为所有AC噪声和直流偏移的
V
REF
,
带宽限制到20MHz 。在DRAM必须适应于DRAM的电流尖峰
V
REF
和内部DRAM耦合噪声
TO
V
REF
,这两者都可能导致
V
REF
噪声。
V
REF
应去耦用的电感
£
3nH.
2. V
TT
不直接向设备施加。 V
TT
是预期的系统供给的信号终止电阻器,被设置为等于
V
REF
的,必须跟踪变化的DC电平
V
REF
3. V
ID
是在CK上的输入电平,并在CK上的输入电平之间的差的量值。
4.这些参数应在实际组件的引脚进行测试,并且可以在任一销或垫被检查
模拟。交流和直流输入规格相对于
V
REF
包裹已带宽限制为200MHZ 。
5 V的值
IX
预计相当于0.5 * V
DDQ
发送设备的,并且必须跟踪变化的相同的DC电平。
6.这些charactericteristics服从SSTL - 2的II类标准。
网址: www.hbe.co.kr
REV 2.0 ( November.2002 )
5
韩光电器有限公司。