韩光
CKE
n-1
CKE
n
BA
0,1
HDD32M64F8
A10/
AP
A11
A9~A0
命令真值表
(V=VALID, X=DO�½¢ T CARE, H=LOGIC HIGH, L=LOGIC LOW)
命令
/ CS
/ RAS
/ CAS
/ WE
DM
记
注册
注册
扩展MRS
模式寄存器设置
自动刷新
条目
出口
H
H
H
L
H
X
X
H
L
H
X
L
L
L
L
H
L
L
L
L
H
X
L
L
L
L
H
X
H
L
L
H
H
X
H
X
X
X
X
X
V
操作码
操作码
X
X
行地址
L
COLUMN
地址
H
(A0 ~ A9)
COLUMN
地址
H
(A0 ~ A9)
X
V
X
L
H
X
X
1,2
1,2
3
3
3
3
刷新
自
刷新
银行主动&行地址。
阅读&
COLUMN
地址
写&
COLUMN
地址
突发停止
预充电
银行的选择
所有银行
条目
出口
条目
出口
AUTO
关闭
AUTO
使能控制
AUTO
关闭
AUTO
启用
预充电
预充电
预充电
预充电
4
4
4
4,6
7
5
H
X
L
H
L
H
X
V
H
H
X
L
H
L
L
H
H
H
L
H
L
H
H
X
H
L
X
X
L
H
L
H
L
L
H
L
X
H
L
H
L
H
L
X
V
X
X
H
X
V
X
X
H
X
H
X
H
H
H
X
V
X
X
H
X
V
L
L
X
V
X
X
H
X
V
X
X
X
X
X
X
V
L
时钟暂停或
主动关机
预充电电源
Down模式
DM
X
X
V
X
X
X
8
没有操作命令
注意：
1. OP代码：操作数代码。 A0 〜 A12 & BA0 〜 BA1 ：程序键。 （ @ EMRS / MRS）
2. EMRS / MRS只能在所有银行预充电状态下发出的。
一个新的命令可以发出EMRS或MRS后2个时钟周期。
3.自动刷新功能是相同的DRAM的CBR刷新。
无行预充电命令预充电自然而然被"Auto"意思。
只能在所有银行预充电状态下发出的自动/自刷新。
4. BA0 〜 BA1 ：银行选择地址。
如果同时BA0和BA1是"Low"在读，写，行积极和预充电，银行A被选中。
如果BA0是"High"和BA1是"Low"在读，写，行积极和预充电，选择B银行。
如果BA0是"Low"和BA1是"High"在读，写，行积极和预充电， C银行被选中。
如果同时BA0和BA1是"High"在读，写，行积极和预充电，银行D被选中。
5.如果A10 / AP是"High"于行预充电， BA0和BA1被忽略，所有的银行都被选中。
6.在突发写入自动预充电，新的读/写命令不能发出。
另一家银行的读/写命令脉冲结束后发出。
新行活动的相关银行可以在激进党爆结束后发放。
7.突发停止命令是在每一个突发长度有效。
8. DM采样的DQS和数据中的上升沿和下降沿的两个边缘都被屏蔽（写入DM延迟为0）。
9.这个组合没有被定义为任何功能，这意味着"No操作（ NOP ）的DDR SDRAM " 。
网址： www.hbe.co.kr
REV 2.0 （ November.2002 ）
9
韩光电器有限公司。
HANBIT [ HANBIT ELECTRONICS CO.,LTD ]
