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HMF2M32M4VGL-70 参数 Datasheet PDF下载

HMF2M32M4VGL-70图片预览
型号: HMF2M32M4VGL-70
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内容描述: 闪存ROM模块现象8字节( 2Mx32Bit ) , 72PIN - SIMM , 3.3V设计 [Flash-ROM Module 8MByte (2Mx32Bit), 72Pin-SIMM, 3.3V Design]
分类和应用: 闪存存储
文件页数/大小: 12 页 / 425 K
品牌: HANBIT [ HANBIT ELECTRONICS CO.,LTD ]
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韩光
真值表
模式
待机
未选择
写或擦除
注意:
X表示不关心
/ OE
X
H
L
X
/ CE
H
L
L
L
/ WE
X
H
H
L
/ RESET
Vcc±0.3V
H
H
H
HMF2M32M4VGL
DQ ( /字节= L )
高-Z
高-Z
D
OUT
D
IN
动力
待机
活跃
活跃
活跃
绝对最大额定值
参数
电压相对于地所有其他引脚
电压相对于地的Vcc
符号
V
IN,OUT
V
CC
等级
-0.5V到VCC + 0.5V
-0.5V至+ 4.0V
储存温度
T
英镑
-65oC至+ 150℃
工作温度
T
A
-55℃ 〜+ 125摄氏度
w
应力大于下"绝对最大Ratings"可能会导致永久性损坏设备。
这是一个额定值,器件运行在超过或任何其他条件标明
本说明书中的操作部分,是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作
期间可能会影响其可靠性。
建议的直流工作条件
参数
VCC为
±
10 %的设备电源电压
符号
VCC
V
SS
2.7V
0
0
典型值。
最大
3.6V
0
DC和工作特性
( 0℃
TA
70 ℃)
参数
输入负载电流
A9 LODA输入电流
输出漏电流
测试条件
VCC = VCC最大值,V
IN
= VSS到Vcc
VCC = VCC最大; A9 = 12.5 V
VCC = VCC最大值,V
OUT
= VSS到Vcc
/ CE≥ V
白细胞介素,
/ OE = V
IH ,
字节模式
VCC读操作工作电流( 1 )
/ CE≥ V
白细胞介素,
/ OE = V
IH ,
文字模式
VCC主动写电流
/ CE = V
IL
, / OE = V
IH
(Note2,3,4)
VCC待机电流(注2 )
/ CE, /RESET=Vcc±0.3V
I
CC3
0.2
5
mA
I
CC2
20
30
mA
5MHz
1MHz
5MHz
1MHz
I
CC1
9
2
16
4
Symbo
L
I
L1
I
L1T
I
L0
9
2
典型值
最大
±1.0
35
±1.0
16
4
µA
UNI
T
µA
µA
µA
网址:
www.hbe.co.kr
REV,02(August,2002)
3
韩光科贸有限公司