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HMF2M32M4VGL-70 参数 Datasheet PDF下载

HMF2M32M4VGL-70图片预览
型号: HMF2M32M4VGL-70
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内容描述: 闪存ROM模块现象8字节( 2Mx32Bit ) , 72PIN - SIMM , 3.3V设计 [Flash-ROM Module 8MByte (2Mx32Bit), 72Pin-SIMM, 3.3V Design]
分类和应用: 闪存存储
文件页数/大小: 12 页 / 425 K
品牌: HANBIT [ HANBIT ELECTRONICS CO.,LTD ]
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韩光
VCC待机电流在
/RESET=Vss±0.3V
Reset(Note2)
自动休眠模式( Note2,5 )
输入低电压
输入高电压
电压自动选择和
V
CC
= 3.3V
临时机构撤消
输出低电压
I
OL
= 4.0毫安, VCC = VCC最小值
I
OH
= -2.0mA , VCC = VCC最小值
输出高电压
I
OH
= -100μA , VCC = VCC最小值
VCC低于锁定了电压(注
V
LKO
4)
笔记
1.
2.
3.
c
Vcc-0.4
V
OL
0.85×Vc
V
ID
V
IH
= VCC
±0.3V;
V
IL
VSS =
±0.3V;
V
CC5
V
IL
V
IH
I
CC4
HMF2M32M4VGL
0.2
5
mA
0.2
-0.5
0.7×Vc
c
11.5
5
0.8
Vcc+0
V
V
V
.3
12.5
0.45
V
V
V
2.3
2.5
V
上市ICC流通常小于2mA / MHz的带/ OE在V
IH 。
典型的Vcc为3.0V 。
最大电流Icc规格与VCC = Vccmax测试。
ICC活跃,而嵌入式程序的嵌入式擦除正在进行中。
擦除和编程性能
范围
参数
分钟。
扇区擦除时间
芯片擦除时间
字节编程时间
芯片编程时间
-
-
-
典型值。
0.7
25
9
18
300
54
马克斯。
15
美国证券交易委员会
美国证券交易委员会
µs
美国证券交易委员会
不包括系统级
架空
排除00H编程
对擦除之前
单位
评论
TSOP电容
参数
符号
C
IN
C
OUT
C
IN2
参数
描述
输入电容
输出电容
控制引脚电容
o
测试设置
V
IN
= 0
V
OUT
= 0
V
IN
= 0
6
8.5
7.5
最大
7.5
12
9
单位
pF
pF
pF
笔记
:测试条件牛逼
A
= 25°C , F = 1.0兆赫。
网址:
www.hbe.co.kr
REV,02(August,2002)
4
韩光科贸有限公司