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    HMF2M32M4VGL-70 参数 Datasheet PDF下载

    HMF2M32M4VGL-70图片预览
    型号： HMF2M32M4VGL-70
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 闪存ROM模块现象8字节（ 2Mx32Bit ） ， 72PIN - SIMM ， 3.3V设计 [Flash-ROM Module 8MByte (2Mx32Bit), 72Pin-SIMM, 3.3V Design]
    分类和应用： 闪存存储
    文件页数/大小： 12 页 / 425 K
    品牌： HANBIT [ HANBIT ELECTRONICS CO.,LTD ]
     浏览型号HMF2M32M4VGL-70的Datasheet PDF文件第1页浏览型号HMF2M32M4VGL-70的Datasheet PDF文件第2页浏览型号HMF2M32M4VGL-70的Datasheet PDF文件第3页浏览型号HMF2M32M4VGL-70的Datasheet PDF文件第4页浏览型号HMF2M32M4VGL-70的Datasheet PDF文件第6页浏览型号HMF2M32M4VGL-70的Datasheet PDF文件第7页浏览型号HMF2M32M4VGL-70的Datasheet PDF文件第8页浏览型号HMF2M32M4VGL-70的Datasheet PDF文件第9页  
    韩光
    AC特性
    u
    只读操作特性
    参数
    符号
    描述
    JEDEC标准
    t
    AVAV
    t
    AVQV
    t
    ELQV
    t
    GLQV
    t
    EHQZ
    t
    GHQZ
    t
    RC
    t
    加
    t
    CE
    t
    OE
    t
    DF
    t
    DF
    读周期时间（注1 ）
    地址输出延迟
    芯片使能到输出延迟
    芯片使能到输出延迟
    芯片使能输出高-Z
    输出使能到输出高阻
    读
    OUTPUT ENABLE
    切换和
    保持时间（注1 ）
    t
    AXQX
    t
    QH
    笔记
    :
    1.不100 ％测试。
    2.参见图5和表10的测试规范。
    /数据轮询
    输出保持时间从地址，
    / CE和/ OE ，先到为准
    民
    民
    / CE = V
    IL
    / OE = V
    IL
    / OE = V
    IL
    民
    最大
    最大
    最大
    最大
    最大
    民
    测试设置
    -70R
    70
    70
    70
    30
    25
    25
    HMF2M32M4VGL
    速度选项
    单位
    -80
    80
    80
    80
    30
    25
    25
    0
    ns
    10
    0
    ns
    -90
    90
    90
    90
    35
    30
    30
    -120
    120
    120
    120
    35
    30
    30
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    测试规范
    测试条件
    输出负载
    输出负载电容，C
    L
    （包括夹具电容）
    输入上升和下降时间
    输入脉冲电平
    输入定时测量参考电平
    输出时序测量参考电平
    30
    5
    0.0-3.0
    1.5
    1.5
    70R, 80
    1TTL门
    100
    pF
    ns
    V
    V
    V
    90, 120
    单位
    3.3V
    2.7kΩ
    设备
    下
    TEST
    C
    L
    IN3064
    或同等学历
    6.2kΩ
    二极管= IN3064
    或同等学历
    记
    : C
    L
    = 100pF的包括夹具电容
    网址：
    www.hbe.co.kr
    REV,02(August,2002)
    5
    韩光科贸有限公司

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