韩光
HMN1288DV
功能说明
该HMN1288DV执行一个读周期时/ WE为无效(高)和/ CE为有效(低电平) 。由指定的地址
地址输入(A
0
-A
16
)定义其中的131072个字节的数据进行访问。有效的数据将提供给八个
T内的数据输出驱动器
加
(访问时间)的最后一个地址输入信号后是稳定的。
当功率是有效的,则HMN1288DV用作标准CMOS SRAM中。在电源下移和上电周期,
该HMN1288DV作为非易失性存储器时,自动保护管理克和保存的存储内容。
该HMN1288DV处于写模式时的/ WE和/ CE信号处于激活(低电平)状态后的地址输入端
是稳定的。 / CE或后期出现下降沿/ WE将确定写周期的开始。写周期
由/ CE或/ WE的早期上升沿终止。所有地址输入必须保持有效的在整个写周期。 / WE
必须返回到高状态的最小恢复时间(t
WR
)另一个循环之前可以启动。在/ OE控制
信号应保持无效(高)在写周期,以避免总线竞争。然而,如果输出总线被启用
( / CE和/ OE激活),则/我们将禁用T中的输出
ODW
从它的下降沿。
该HMN1288DV提供全功能能力的Vcc大于3.0V和写保护2.8 V名义。电源 -
下/上电控制电路持续监控V
CC
供应电源故障检测阈值V
PFD
。当V
CC
瀑布
下面的V
PFD
阈值时,会自动SRAM写保护数据。所有输入到RAM中成为
“别
关心“和
所有输出为高阻抗。作为Vcc的下方约3伏下降时,功率开关电路将锂
能源索里到RAM保存数据。在上电期间,当Vcc以上升高大约3.0伏时,功率开关
电路连接外部的Vcc的RAM和断开锂电池的能量来源。正常RAM操作就可以恢复
超过4.5伏的Vcc后。
框图
A
0
-A
16
DQ
0
-DQ
7
引脚说明
A
0
-A
16
:地址输入
/ CE :芯片使能
V
ss
:地面
/ OE
/ WE
128K ×8
SRAM
块
动力
/ CE
CON
DQ
0
-DQ
7
:数据输入/输出
/ CE
动力
–
失败
控制
锂
CELL
V
CC
/ WE :写使能
/ OE :输出使能
V
CC
:电源( + 3.3V )
NC :无连接
网址: www.hbe.co.kr
1.0版( 2004年6月)
2
韩光电器有限公司
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