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    HMN1288DV-120I 参数 Datasheet PDF下载

    HMN1288DV-120I图片预览
    型号： HMN1288DV-120I
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 非易失性SRAM模块为1Mbit （ 128K ×8位） ， 32引脚DIP， 3.3V [Non-Volatile SRAM Module 1Mbit (128K x 8-Bit), 32Pin-DIP, 3.3V]
    分类和应用： 静态存储器
    文件页数/大小： 9 页 / 98 K
    品牌： HANBIT [ HANBIT ELECTRONICS CO.,LTD ]
     浏览型号HMN1288DV-120I的Datasheet PDF文件第1页浏览型号HMN1288DV-120I的Datasheet PDF文件第2页浏览型号HMN1288DV-120I的Datasheet PDF文件第4页浏览型号HMN1288DV-120I的Datasheet PDF文件第5页浏览型号HMN1288DV-120I的Datasheet PDF文件第6页浏览型号HMN1288DV-120I的Datasheet PDF文件第7页浏览型号HMN1288DV-120I的Datasheet PDF文件第8页浏览型号HMN1288DV-120I的Datasheet PDF文件第9页  
    韩光
    HMN1288DV
    真值表
    模式
    未选择
    输出禁用
    读
    写
    / OE
    X
    H
    L
    X
    / CE
    H
    L
    L
    L
    / WE
    X
    H
    H
    L
    I / O操作
    高Z
    高Z
    D
    OUT
    D
    IN
    动力
    待机
    活跃
    活跃
    活跃
    绝对最大额定值
    参数
    直流电压施加于V
    CC
    相对于V
    SS
    直流电压施加在任意引脚不包括V
    CC
    相对的
    到V
    SS
    工作温度
    储存温度
    焊接温度
    符号
    V
    CC
    V
    T
    T
    OPR
    T
    英镑
    T
    SOLDER
    等级
    -0.5V到VCC + 0.5
    -0.3V至4.6V
    0至70℃
    -65 ℃〜150 ℃的
    260°C
    10秒
    V
    T
    ≤
    V
    CC
    +0.3
    条件
    注意：
    如果绝对最大额定值超出可能会造成永久性损坏设备。
    功能操作应仅限于本数据手册详细介绍了建议的直流工作康迪特离子。
    暴露于超过推荐的电压较高的时间过长可能会影响器件的可靠性。
    建议的直流工作条件
    ( T
    A
    = T
    OPR
    )
    参数
    电源电压
    地
    输入高电压
    输入低电压
    符号
    V
    CC
    V
    SS
    V
    IH
    V
    IL
    民
    4.5V
    0
    2.2
    -0.3
    典型
    5.0V
    0
    -
    -
    最大
    5.5V
    0
    Vcc+0.3V
    0.8V
    注意：
    典型值指示器件的工作在T
    A
    = 25℃
    电容
    (T
    A
    = 25 ℃ ， F = 1MHz时， V
    CC
    =5.0V)
    描述
    输入电容
    输入/输出电容
    条件
    输入电压= 0V
    输出电压= 0V
    符号
    C
    IN
    C
    I / O
    最大
    10
    10
    民
    -
    -
    单位
    pF
    pF
    网址： www.hbe.co.kr
    1.0版（ 2004年6月）
    3
    韩光电器有限公司
    FinePrint的PDFFACTORY
    평 가 판 으 로 만 든
    PDF飙
    隻
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