韩光
读周期
(T
A
= T
OPR
, V
CCmin
£
V
CC
≤
V
CCmax
)
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
输出使能到输出有效
芯片使能在低Z输出
输出使能到输出中低Z
芯片禁用高Z输出
输出禁用输出高阻
从地址变更输出保持
符号
t
RC
t
加
t
ACE
t
OE
t
CLZ
t
OLZ
t
CHZ
t
OHZ
t
OH
输出负载A
输出负载A
输出负载A
输出负载B
输出负载B
输出负载B
输出负载B
输出负载A
条件
民
70
-
-
-
5
5
0
0
10
-70
最大
-
70
70
35
-
-
25
25
-
民
85
-
-
-
5
0
0
0
10
-85
最大
-
85
85
45
-
-
35
25
-
-120
民
120
-
-
-
5
0
0
0
10
最大
-
120
120
60
-
-
45
35
-
HMN328D
-150
民
150
-
-
-
10
5
0
0
10
最大
-
150
150
70
-
-
60
50
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
写周期
(T
A
= T
OPR
, V
CCmin
£
V
cc
≤
V
CCmax
)
参数
写周期时间
芯片使能写操作的结束
地址建立时间
地址有效到写结束
把脉冲宽度
写恢复时间（写周期1 ）
写恢复时间（写周期2 ）
数据有效到写结束
数据保持时间（写周期1 ）
数据保持时间（写周期2 ）
写使能输出高阻
输出写入结束活动
符号
t
WC
t
CW
t
AS
t
AW
t
WP
t
WR1
t
WR2
t
DW
t
DH1
t
DH2
t
WZ
t
OW
注4
注4
注5
注5
注1
注2
注1
注1
注3
注3
条件
民
70
65
0
65
55
5
15
30
0
10
0
5
-70
最大
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
25
-
民
85
75
0
75
65
5
15
35
0
10
0
0
-85
最大
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
30
-
-120
民
120
100
0
100
85
5
15
45
0
10
0
0
最大
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
40
-
-150
民
150
100
0
90
90
5
15
50
0
0
0
5
最大
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
50
-
UNI
T
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
注意：
在/ CE的早期过渡1.写结束持续高/我们要高。
2.允许/ CE和低/ WE的重叠期间，写操作。一开始写在/ CE后来转型
变低和/ WE变低。
3.无论吨
WR1
或T
WR2
必须得到满足。
4.要么吨
DH1
或T
DH2
必须得到满足。
5.如果/ CE同时变为低配/ WE变低或之后/我们要低，输出保持在高
阻抗状态。
网址： www.hbe.co.kr
修订版0.0 （ 2002年4月）
5
韩光电器有限公司
HANBIT [ HANBIT ELECTRONICS CO.,LTD ]
