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HMN328D-150 参数 Datasheet PDF下载

HMN328D-150图片预览
型号: HMN328D-150
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内容描述: 非易失性SRAM模块256Kbit ( 32K ×8位) , 28PIN DIP , 5V [Non-Volatile SRAM MODULE 256Kbit (32K x 8-Bit),28Pin DIP, 5V]
分类和应用: 存储内存集成电路静态存储器
文件页数/大小: 9 页 / 157 K
品牌: HANBIT [ HANBIT ELECTRONICS CO.,LTD ]
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韩光
掉电/电周期
(T
A
= T
OPR ,
V
CC
=5V)
参数
V
CC
摆, 4.75〜 4.25V
V
CC
摆, 4.75到V
SO
V
CC
摆,V
SO
到V
PFD
(最大)
芯片使能的恢复时间
数据保留时间在
没有V的
CC
数据保留时间在
没有V的
CC
写保护时间
符号
t
PF
t
FS
t
PU
时间在此期间, SRAM
t
CER
被写保护V后
CC
通过V
PFD
上电。
t
DR
t
DR -N
T
A
= 25℃
T
A
= 25 ℃ ;产业
温度范围( -N )仅
V后延时
CC
压摆率下降
t
WPT
以往V
PFD
之前, SRAM是
写保护。
40
100
10
6
-
-
40
80
条件
300
10
0
典型值。
-
-
-
HMN328D
最大
-
-
-
单位
120
ms
-
-
岁月
岁月
150
时序波形
- 读周期NO.1 (地址访问) *
1,2
t
RC
地址
t
t
OH
D
OUT
以前的数据有效
数据有效
- 读周期NO.2 ( / CE访问)
*1,3,4
/ CE
t
ACE
t
CLZ
D
OUT
高-Z
t
RC
t
CHZ
高-Z
网址: www.hbe.co.kr
修订版0.0 ( 2002年4月)
6
韩光电器有限公司